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查看: 65964|回复: 52

[求助] LDMOS和普通高压MOS管有什么区别?

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发表于 2012-6-5 17:36:06 | 显示全部楼层 |阅读模式

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LDMOS管相比普通高压MOS管有什么优势吗?我看工艺文档中分对称和不对称两种,什么时候用不对称管,什么时候用对称管,发现
对称管的L挺大,有3um,而不对称管的最小L是1.2um;我还发现在有的高压工艺中,例如25v的CSMC工艺中只有LDNMOS管,没
有P型的DMOS管,只有高压PMOS管,这是为什么?
发表于 2012-10-19 14:21:36 | 显示全部楼层
本帖最后由 jianjing526 于 2012-10-22 09:17 编辑

以NMOS为例,普通HVMOS靠轻掺杂的N-区域(Drift/HVN/HVNWELL)和psub形成的结来耐压,耗尽层在psub中(即沟道区),因此L必须得到保证避免punchthrough,通常2.5um以上。LDMOS的耐压在Pbody和N-结上,耗尽层在N-区(Pbody的浓度较N-高些),L有两次扩散长度差决定,L值可以做得小些(<1.5um). 因此同样的Rdson用LDMOS来做面积上有优势。
非对称的只有Drain端能耐高压,而对称的Drain和Source都可以耐高压
P管相对Rdson大些,功率管更倾向N管,因此P-type的DMOS就比较少见了。

欢迎补充
 楼主| 发表于 2012-10-22 16:15:05 | 显示全部楼层
回复 4# jianjing526


    为什么pmos管导通电阻大还不提供dmos?这样上下驱动能力不对称呀.
发表于 2012-10-22 17:13:24 | 显示全部楼层
要問懂PROCESS 吧, 我只知道 一般Dmos  rds_on 大, 要  low rds_on 就是用 LDNMOS , 又分 high side , low side  

高壓NMOS 電場會有些是靠 source 端  kirk effect .
有一說是 high side LDNMOS 不好開發,

另外要高壓一般都DOPING淡些, 但因此 會電阻變大.. 這有和rds 有衝突了,
  rds 變低可能耐壓又變,  另外記得一般 MOS  breakdown 是 off 下 break down ,
不是 on break down , 有些電路在 turn on 前一刻是高壓 , 因為 MOS 還沒全都TURN ON ,
但是有部份 TURN ON , 有些DEVICE 可能發生 on break down .


UHV mos 一般是 field plate + resurf  (就是聽說用夾的方式 )
nmos 內加入 p burier layer.

一般PMOS 可以不使用, 改用  ISO_NMOS  來推..  
這些都是平躺的MOS 可以跟一般 LOGIC CI 整合也才多使用,

至於外面賣大顆 TO220 獨立的 POWER MOS 內是垂直 VMOS 方式,
一般也都是看到只有高壓NMOS
  有1說  pmos 或許不好開發..
发表于 2012-12-5 09:51:06 | 显示全部楼层
与非门之类的就需要source耐高压
发表于 2013-4-10 03:39:23 | 显示全部楼层
回复 4# jianjing526


    请问一下,你说的耐高压是指在psubstrate接GND时,D或S端能达到的最高电压吧?我是做IC设计的,从普通CMOS转过来做power IC的,请多多指教。
发表于 2013-4-10 07:33:36 | 显示全部楼层
回复 12# cliassh


   sb和db的电压
发表于 2013-4-10 10:05:21 | 显示全部楼层
一般 Dmos  dual gate oxide process ..
like 40v  asym    一端耐高壓另一端  source/bulk 是低壓..  
    sym  就兩邊耐高壓

ldmos process  => 一般是 low volt oxide , Vth 低但 drain 耐高壓,  一般 LDMOS
   20v 40v 60v  80v ..只要拉開就能增加 . 但是 LDNMOS  如果須要 source 耐高壓
  那就叫 high side LDNMOS ... 至於為何 source  一般是低壓?

先前有聽過老師提到 nmos source 那電場會很高

另外 high side LDnmos 和  syn MOS  在  high side driver 有 用  ..
特別是做  gate clamp .

iso nmos  size 類似 snmos 都很大..比 aym nmos .
发表于 2013-4-10 15:48:32 | 显示全部楼层
回复 9# peterlin2010


    多谢回复,我需要一个电流双向流动的LDNMOS。根据你的描述,Vsb可以赖高压,但是S到substrate呢?

我现有的HV-CMOS制程只有非对称结构的LDNMOS,其bulk, drain, substrate有个寄生的PNP BJT,S和B相连,当Vs>Vd>Vsubstrate时,这个BJT就会导通了,不符合我的要求,请问有没有对称结构的LDNMOS可以满足我的要求的?请帮忙推荐一个可用的制程,要求最大电压120V,多谢了。
发表于 2013-4-10 15:51:23 | 显示全部楼层
@lovexxnu
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