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发表于 2012-10-22 17:13:24
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要問懂PROCESS 吧, 我只知道 一般Dmos rds_on 大, 要 low rds_on 就是用 LDNMOS , 又分 high side , low side
高壓NMOS 電場會有些是靠 source 端 kirk effect .
有一說是 high side LDNMOS 不好開發,
另外要高壓一般都DOPING淡些, 但因此 會電阻變大.. 這有和rds 有衝突了,
rds 變低可能耐壓又變, 另外記得一般 MOS breakdown 是 off 下 break down ,
不是 on break down , 有些電路在 turn on 前一刻是高壓 , 因為 MOS 還沒全都TURN ON ,
但是有部份 TURN ON , 有些DEVICE 可能發生 on break down .
UHV mos 一般是 field plate + resurf (就是聽說用夾的方式 )
nmos 內加入 p burier layer.
一般PMOS 可以不使用, 改用 ISO_NMOS 來推..
這些都是平躺的MOS 可以跟一般 LOGIC CI 整合也才多使用,
至於外面賣大顆 TO220 獨立的 POWER MOS 內是垂直 VMOS 方式,
一般也都是看到只有高壓NMOS
有1說 pmos 或許不好開發.. |
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