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楼主: fumes

[求助] LDMOS和普通高压MOS管有什么区别?

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发表于 2017-2-15 16:13:56 | 显示全部楼层
回复 20# T-Rex


   我的理解是low side的source端不能耐高压,而high side的source可以耐高压。比如asym LDNMOS,VGS耐压5.5V,VDS耐压60V。
对于low side器件,source端电压最高可能只有5.5V,相应的gate端最高电压可以到11V(保证VGS不大于5.5V)。
而high side器件,source端电压可以到40V,gate电压最高可以到45.5V。

这个问题也困扰了我好久,最近看了一些资料是这样理解的,欢迎大家指正。
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发表于 2017-5-10 18:32:50 | 显示全部楼层
回复 11# peterlin2010


   谢谢,正好需要这方面的资料!
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发表于 2017-5-10 18:35:46 | 显示全部楼层
非常有益的讨论,学到很多,谢谢!
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发表于 2017-6-29 17:45:59 | 显示全部楼层
感謝分享
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发表于 2017-11-6 18:40:58 | 显示全部楼层
sb和db的电压
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发表于 2017-11-6 18:41:09 | 显示全部楼层
sb和db的电压
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发表于 2018-3-24 10:20:12 | 显示全部楼层
很好的讨论 谢谢!
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发表于 2019-2-14 10:04:32 | 显示全部楼层
很不错的讨论
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发表于 2020-8-2 18:10:57 | 显示全部楼层


   
peterlin2010 发表于 2013-4-11 10:18
回复 12# peterlin2010

aa


感谢楼上大哥的高压mos paper
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发表于 2020-10-3 13:31:51 | 显示全部楼层


   
peterlin2010 发表于 2013-4-11 10:15
回复 10# cliassh

我需要一个电流双向流动的LDNMOS。根据你的描述,Vsb可以赖高压,但是S到substrate呢? ...


谢谢分享
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