LDMOS和普通高压MOS管有什么区别？

fairfrog · 发表于 2017-2-15 16:13:56

回复 20# T-Rex

我的理解是low side的source端不能耐高压，而high side的source可以耐高压。比如asym LDNMOS，VGS耐压5.5V，VDS耐压60V。
对于low side器件，source端电压最高可能只有5.5V，相应的gate端最高电压可以到11V（保证VGS不大于5.5V)。
而high side器件，source端电压可以到40V，gate电压最高可以到45.5V。

这个问题也困扰了我好久，最近看了一些资料是这样理解的，欢迎大家指正。

sunery · 发表于 2017-5-10 18:32:50

回复 11# peterlin2010

谢谢，正好需要这方面的资料！

sunery · 发表于 2017-5-10 18:35:46

非常有益的讨论，学到很多，谢谢！

r102569 · 发表于 2017-6-29 17:45:59

感謝分享

Desingman · 发表于 2017-11-6 18:40:58

sb和db的电压

Desingman · 发表于 2017-11-6 18:41:09

sb和db的电压

sosofa · 发表于 2018-3-24 10:20:12

很好的讨论谢谢！

江湖人92 · 发表于 2019-2-14 10:04:32

很不错的讨论

CmosLgh · 发表于 2020-8-2 18:10:57

peterlin2010 发表于 2013-4-11 10:18
回复 12# peterlin2010

aa

感谢楼上大哥的高压mos paper

tomatoxu · 发表于 2020-10-3 13:31:51

peterlin2010 发表于 2013-4-11 10:15
回复 10# cliassh

我需要一个电流双向流动的LDNMOS。根据你的描述，Vsb可以赖高压，但是S到substrate呢？ ...

谢谢分享

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