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jianjing526 发表于 2012-10-19 14:21 以NMOS为例,普通HVMOS靠轻掺杂的N-区域(Drift/HVN/HVNWELL)和psub形成的结来耐压,耗尽层在psub中(即沟 ...
wcy2012noe 发表于 2023-6-20 11:09 非对称的只有漏端耐高压,对称的漏端和源端都耐高压?? 请教一下,我有个model,an16g16d(非对称的,V ...
saw2020 发表于 2023-5-9 16:01 很好的帖子,学习了,目前在用tsmc18bcd,里面的NLDMOS的L不能调节又是为什么呢?求解答 ...
peterlin2010 发表于 2013-4-11 10:18 回复 12# peterlin2010 aa
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