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发表于 2013-4-11 10:15:12
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本帖最后由 peterlin2010 于 2013-4-11 10:16 编辑
回复 10# cliassh
我需要一个电流双向流动的LDNMOS。根据你的描述,Vsb可以赖高压,但是S到substrate呢?
我现有的HV-CMOS制程只有非对称结构的LDNMOS,其bulk, drain, substrate有个寄生的PNP BJT,S和B相连,当Vs>Vd>Vsubstrate时,这个BJT就会导通了,不符合我的要求,请问有没有对称结构的LDNMOS可以满足我的要求的?请帮忙推荐一个可用的制程,要求最大电压120V,多谢了。
=> 個人認知是
Vsb source /bulk 只有 DMOS sym-nmos .
high side LDnmos 才能達到, 但 high side LDNMOS 很多 process 是沒有的, 因為不好做??
可能要問懂 process 是否類似 kirck effect ??
120v ?? 應該目前常見的不是 20v 40v
LDNMOS 40 60 80v .. 100v ?? 聽說 tsmc 有
OKI 有 120v ?
再來就是 UHV 500v 650 700v 800v .
GOOGLE
毕业论文)120V高压LDMOS优化设计
high side ldnmos data 不多
Design of a 100 V High-side nch LDMOS breakdown enhance.pdf
(4.07 MB, 下载次数: 663 )
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