LDMOS和普通高压MOS管有什么区别？

peterlin2010 · 发表于 2013-4-11 10:15:12

本帖最后由 peterlin2010 于 2013-4-11 10:16 编辑

回复 10# cliassh

我需要一个电流双向流动的LDNMOS。根据你的描述，Vsb可以赖高压，但是S到substrate呢？

我现有的HV-CMOS制程只有非对称结构的LDNMOS，其bulk, drain, substrate有个寄生的PNP BJT，S和B相连，当Vs>Vd>Vsubstrate时，这个BJT就会导通了，不符合我的要求，请问有没有对称结构的LDNMOS可以满足我的要求的？请帮忙推荐一个可用的制程，要求最大电压120V，多谢了。

=> 個人認知是
Vsb  source /bulk 只有  DMOS  sym-nmos  .
high side LDnmos  才能達到, 但 high side LDNMOS 很多 process 是沒有的, 因為不好做??

可能要問懂 process 是否類似 kirck effect ??

120v ??  應該目前常見的不是 20v  40v
LDNMOS  40 60 80v  .. 100v ?? 聽說 tsmc 有
OKI 有  120v ?
再來就是  UHV  500v 650 700v 800v  .

GOOGLE
毕业论文）120V高压LDMOS优化设计

high side ldnmos data 不多

Design of a 100 V High-side nch LDMOS breakdown enhance.pdf (4.07 MB, 下载次数: 668 )

peterlin2010 · 发表于 2013-4-11 10:18:07

本帖最后由 peterlin2010 于 2013-4-11 11:05 编辑

Analysis of the breakdown mechanism for an UHV high side thin layer SOI pch mos.pdf (524.57 KB, 下载次数: 268 ) 回复 12# peterlin2010

aa

High side LDNMOS hi breakdown2011.pdf (2.36 MB, 下载次数: 483 )

又傳失敗 ??

怪..

這邊韓國HIGH VOLT 有LDNMOS cross secction

Korea high volt IC 2nd.pdf (1.57 MB, 下载次数: 474 )

peterlin2010 · 发表于 2013-4-11 11:57:49

华润上华第二代200V SOI工艺实现量产

=> 看看誰用過吧..

cliassh · 发表于 2013-4-11 15:43:28

回复 13# peterlin2010

thank you very much.

peterlin2010 · 发表于 2013-4-12 11:53:21

what product need 120v ??  ac 110v  選到 120v 不夠高吧..

LED backlight boost 先前 80v -> 100~120v ..
but ..boost 外掛MOS  為何要 high side 120v ?  sense OVP  SCP 嗎??

我现有的HV-CMOS制程只有非对称结构的LDNMOS
=> 你用是多高壓  那家  FAB ??
high volt spice model  L66 ? L88 ??  101 ?? which one ?

jiegeng66 · 发表于 2015-1-1 18:30:56

学习了哈

tracyslnn236 · 发表于 2015-9-19 15:18:10

~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~

yixiu0000 · 发表于 2016-5-19 11:29:58

不错的讨论;

gugu2558 · 发表于 2016-5-24 20:38:05

thanks

T-Rex · 发表于 2016-11-27 17:40:33

请问，high side 和low side是怎么样一个定义，最近在看tsmc的工艺文档，里面提到了这两个概念，但是文档的解释又不是很清晰。

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