低噪放（LNA）噪声系数（NF）测试结果与后仿真结果偏差很大，什么原因？？？

thyo · 发表于 2012-5-11 17:46:45

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本帖最后由 thyo 于 2012-5-11 17:47 编辑

tsmc 0.18工艺的低噪放，后仿真噪声系数NF要小于1dB，流片封装焊接在PCB版上测试，使用校准后的噪声头测试得到的噪声系数要大于2dB，多次流片结果都是这样，
其它指标比如增益和线性度都还正常。版上有没有遇到过类似问题的，或者知道大概怎么解决？

天牛不唱歌 · 发表于 2012-5-11 18:55:01

窄带的？

rookie_dsm · 发表于 2012-5-11 21:23:02

单端的还是差分的低噪放？

rookie_dsm · 发表于 2012-5-11 21:24:16

仿真用的匹配器件是理想器件吗？

thyo · 发表于 2012-5-12 01:45:18

回复 2# 天牛不唱歌

嗯，是窄带的，单端LNA，也是经典结构

thyo · 发表于 2012-5-12 01:48:00

回复 4# rookie_dsm

仿真用的是理想元件，如果考虑匹配电感的Q值有限，串联阻抗（欧姆级别）也不至于对噪声系数有这么大影响才对啊..

thyo · 发表于 2012-5-12 01:49:29

回复 3# rookie_dsm

单端的经典结构

天牛不唱歌 · 发表于 2012-5-12 14:39:01

是不是用IC5141仿真的，5141版本没有考虑gate induced noise，只考虑了f噪声和沟道噪声。
对于噪声大的影响不大，比如3db加个零点几dB，但是对与低NF，可能会影响增大。
建议以后用610以上版本。
只是建议仅供参考。电感的Q值，有木有加ESD什么的，对于噪声也有影响。再有绑线的影响考虑也要准确一些。

天牛不唱歌 · 发表于 2012-5-12 14:39:09

是不是用IC5141仿真的，5141版本没有考虑gate induced noise，只考虑了f噪声和沟道噪声。
对于噪声大的影响不大，比如3db加个零点几dB，但是对与低NF，可能会影响增大。
建议以后用610以上版本。
只是建议仅供参考。电感的Q值，有木有加ESD什么的，对于噪声也有影响。再有绑线的影响考虑也要准确一些。

rookie_dsm · 发表于 2012-5-12 21:14:34

回复 7# thyo

那前面有SAW吗？

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