HBM测试讨论

lmgrd

各位好！  最近拿片子做ESD HBM测试,拿到测试结果后，发现了一个比较奇怪的问题，这个芯片等效ESD架构图如下：


测试发现，HVDD到AVSS(+)和 AVSS到HVDD(-)的测试结果不一样，
他们的泄电回路是一样的（差别在于测试IV特性曲线时参考点不一样），
为啥HVDD到AVSS(+)可过2KV，而AVSS到HVDD(-) 1.5KV没过呢？
有其他不明白的信息后续补充，这问题可能比较小白，还请大神讨论~指教~

ksj116

首先，HVDD与AVSS之间的HBM test，Pos 和Neg确实不一样的。打Neg HBM时候，两个串联的dio提供另外的ESD 通路。
另外，你、也要注意两个power domain之间没有信号传递以及HVDD与AVDD之间没有通路？这些地方也会影响你的power ESD性能 。

lmgrd

回复 2# ksj116

非常感谢你的回复，如芯片等效ESD架构图所示，HVDD到AVDD间没有通路。
HVDD到AVSS(+)和 AVSS到HVDD(-)的ESD 通路应该是一样的吧。差别在于测IV时，参考点不一样

qinyuwenzhu

HVDD到AVSS(+)和 AVSS到HVDD(-)的ESD 能量输入的点是不同的

sunnyliu

能用P(N）S和P(N)D描述一下你的问题吗？没看懂你到底是怎么加的ESD电压

istart_2002

ksj116 发表于 2016-7-12 16:08
首先，HVDD与AVSS之间的HBM test，Pos 和Neg确实不一样的。打Neg HBM时候，两个串联的dio提供另外的ESD 通 ...

HVDD与AVDD之间有通路的话 会如何影响ESD呢？