求助！CMOS工艺poly栅和源漏注入哪个在先？

ysj0428 · 发表于 2011-12-22 18:14:20

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各位大神小弟求助CMOS工艺poly栅和源漏注入哪个在先？为什么？是否有不利之处？

iamshan · 发表于 2011-12-22 21:53:47

先打well 然后implant调节vt，再然后dep poly，然后gate etch，得到gate，接着打NLDD,PLDD，再然后 N+,P+

daling5 · 发表于 2011-12-23 09:50:20

如果是指poly栅掺杂的话，应该是同时。源漏注入的同时对poly栅注入。

loopgain · 发表于 2011-12-24 13:27:50

2楼说的对

icfbicfb · 发表于 2011-12-26 00:02:07

poly 是P+ 还是N+ ，对器件性能有影响么，有啥影响

iamshan · 发表于 2011-12-26 14:55:37

poly 是P+ 还是N+ ，对器件性能有影响么，有啥影响
icfbicfb 发表于 2011-12-26 00:02

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有的
比如因为存在poly depletion现象，会影响VT等MOS参数，N型P型就很重要了，如果是NMOS，P POLY，相对于 N POLY会减小VT；
当然这个工艺上没法实现；NMOS 一定是N POLY PMOS 一定是P POLY；

guoweiqust · 发表于 2011-12-31 11:48:47

源漏的注入没什么顺序吧？？？

chendiyi · 发表于 2012-1-1 13:02:39

先做Poly后自对准形成源漏

tortose · 发表于 2012-1-4 22:37:02

我觉得楼上的好像有点对

瞒天过海 · 发表于 2012-1-19 23:47:34

好像是源漏栅同时注入吧！

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