求助！CMOS工艺poly栅和源漏注入哪个在先？

徐徐徐阳臻 · 发表于 2021-8-6 10:25:26

老师说先注入栅极后面自对准工艺注入源和漏

ahhanliang · 发表于 2021-10-22 09:38:12

2 楼回答全面，精准，理解楼主的意思应该是说 gate的掺杂和Source drain的掺杂先后顺序，gate 一般不做单独掺杂，是跟souce drain一起的，所以才有NMOS的Ngate，PMOS 的P gate，所以说一般，也有特殊情况，有pre-doping的gate，就是要单独一张mask，在gate poly长完后就做doping。如果是这样的话，gate 掺杂是在SD 之前做，这种情况比较少见

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