一个工艺上的问题

暮若幽荷 · 发表于 2013-10-25 10:23:29

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各位大神，我们如果电路中使衬底和源电位相等，这个在工艺上是怎么实现的呢？是通过打孔很多吗？

s2is · 发表于 2013-10-25 13:34:45

heavy doping + contact

朱立平 · 发表于 2013-10-25 14:30:29

本帖最后由朱立平于 2013-10-25 16:02 编辑

盡量讓 buck OD (with N+ or P+, buck OD 做成guard ring (guard ring should be wide, contact number as many as possible), 防止Vbs (Vth) 飄移, Vbs = 0 ) 接近MOS的 Source (source OD with contact as many as possible). Source & body terminal as near as possible. 盡量讓 bulk OD & source OD 越近越好以防止 latch up

暮若幽荷 · 发表于 2013-10-25 15:14:03

回复 2# s2is

谢谢，原来这样就可以了啊

暮若幽荷 · 发表于 2013-10-25 15:21:57

回复 2# s2is

这个heavy doping是指衬底要重掺杂是吧~

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