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查看: 4801|回复: 5

[讨论] 对称与非对称高压管的选择

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发表于 2013-10-26 15:30:28 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近在用BCD工艺做一个LDO,工艺库中有漏端耐高压的非对称HVMOS和源和漏都耐高压的对称HVMOS,不知这两种管子在何种情况下该选择对称HVMOS,何种情况下选择非对称的HVMOS?请指教,谢谢~
发表于 2013-10-26 15:51:52 | 显示全部楼层
个人觉得,非对称,B必须接S端;对称,B可以随便接,反正BS和BD都耐高压。
发表于 2013-10-27 11:23:58 | 显示全部楼层
symmem  size 基本上和  iso nmos 一樣大

一般是雙端耐高壓 如 高壓電容  用在 opa  或是 , 拿來當 high side bulk nmos
一般 一般 LDMOS process 多是 低 rds on LDMOS , 但很多  nmos 是 low side bulk  就是 bulk 和 source 間不耐高壓 .  

high side bulk  因為電場 好像 kirk effect ??  總之  high side bulk nmos不常見
有使用限制

不知道如果 > 35v  高壓電容會使用那類 ???  高壓 opa 須要
发表于 2021-10-20 16:19:13 | 显示全部楼层
同问
发表于 2021-10-20 17:03:30 | 显示全部楼层
典型应用下非对称即可满足,面积也会小一些
发表于 2021-12-21 15:21:11 | 显示全部楼层
那为什么不直接将全部高压管都选择对称的?
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