考虑到要尽量少的使用高压管以节省成本比如输入0-10V,使用2-3个高压管,输出0-5V,都用中压管;但两级的交 ...
小猫做电路 发表于 2015-9-2 15:32
1.
使用 LDMOS 就是 mos gate=vcc , 因为
source= vcc-vth , mos drian耐高压
need LDmos process
2.
使用 input mos thick oxide mos 但是使用 low voltrule ,如此做可以高耐压但是
没有 "spice model" ,
因为这是拿低压MOS 直接换厚 oxide, 一般当 switch 用可以, 但是
mos threshold 是高压
3.
电阻分压.
但是
电阻也得耐压 ..特别是如果substrate 本身只有
10v breakdown (5V DEVICE)
是不可能撑住20~30V .电阻分压也可能发生 breakdown .
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