Smic 180nmrf 是不是双阱工艺？

flamingo123 · 发表于 2014-4-24 11:00:47

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NMOS的衬底和源级接在一起，但是不接地。我想问这个Smic 180nmrf工艺能否实现，这个工艺里是可以提供NPN管的，Layout的画法是最外层框N-well, 里面再填一层DMPNP（我不知道这个全称叫什么，Smic 180nm的文件里也没有），再里面是DNW（难道是Deep N-well？），最后在画NPN管。
如果按照NPN管的这种画法，是不是类似可以画出一个N阱NMOS，把NMOS的衬底与其他NMOS管独立开来。

不用像SOI那种，把四周的Psub全挖穿，然后再填绝缘层？

这个问题是在过LVS的时候发现的，原先误以为外面加一层保护环就行了，过LVS的时候，电路图和版图中是对应不起来的。

想听听大家的看法，谢谢。