什么是晶体管的early电压，哪位知道？

sololzd · 发表于 2011-11-24 14:58:48

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如题~有知道么？

zhanqing1215 · 发表于 2011-11-24 16:40:35

early 效应也称为基区宽度调制效应。当双极性晶体管工作在放大状态时，改变基极-集电极的偏压将引起集电结耗尽区宽度的变化，因此也引起中性基区宽度的变化，这就是early 效应.Early voltage，是电晶体集极阻抗的一种估量值，高阻抗节点的阻抗值会直接相关于所用电晶体的尔利电压，更高的VA =更高的阻抗=更高的放大器增益。它反应的是共射BJT基区宽度调制效应的参数，一般对NPN平面管，Early电压的参考值为70~130V，典型值是100V。同时通过该电压可以灵活计算BJT内部的一些相关电阻。

huangfei888 · 发表于 2011-11-24 17:05:07

学习学习了

guang3000 · 发表于 2011-11-24 18:57:38

二楼好详尽啊

twfly · 发表于 2011-11-24 22:55:41

学习了学习了

sololzd · 发表于 2013-4-16 08:52:32

多谢二楼，现在才看到，非常感谢！！

sunshine7706 · 发表于 2013-4-16 09:35:49

但是mos管的early电压和三极管的不一样

wxwttf · 发表于 2013-4-16 09:44:24

我记得好像是IV曲线反向延伸和电压轴的焦点是不是厄利电压啊

JoyShockley · 发表于 2013-4-16 10:57:35

强烈建议楼主去看一本书《微电子电路，第五版》
这本书对基本概念的分析和讲解可谓一绝

allen_tang · 发表于 2013-4-16 12:09:28

依稀记得这个好像是晶体管沟道调制导致I-V曲线上翘，电流反向延长与电压有个交点，就叫厄尔立电压，反映的是沟道调制对于I-V特性的影响程度吧。

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