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[求助] 什么是晶体管的early电压,哪位知道?

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发表于 2011-11-24 14:58:48 | 显示全部楼层 |阅读模式

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如题~有知道么?
发表于 2011-11-24 16:40:35 | 显示全部楼层
early 效应也称为基区宽度调制效应。当双极性晶体管工作在放大状态时,改变基极-集电极的偏压将引起集电结耗尽区宽度的变化,因此也引起中性基区宽度的变化,这就是early 效应.Early voltage,是电晶体集极阻抗的一种估量值,高阻抗节点的阻抗值会直接相关于所用电晶体的尔利电压,更高的VA =更高的阻抗=更高的放大器增益。它反应的是共射BJT基区宽度调制效应的参数,一般对NPN平面管,Early电压的参考值为70~130V,典型值是100V。同时通过该电压可以灵活计算BJT内部的一些相关电阻。
发表于 2011-11-24 17:05:07 | 显示全部楼层
学习学习了
发表于 2011-11-24 18:57:38 | 显示全部楼层
二楼好详尽啊
发表于 2011-11-24 22:55:41 | 显示全部楼层
学习了学习了
 楼主| 发表于 2013-4-16 08:52:32 | 显示全部楼层
多谢二楼,现在才看到,非常感谢!!
发表于 2013-4-16 09:35:49 | 显示全部楼层
但是mos管的early电压和三极管的不一样
发表于 2013-4-16 09:44:24 | 显示全部楼层
我记得好像是IV曲线反向延伸和电压轴的焦点是不是厄利电压啊
发表于 2013-4-16 10:57:35 | 显示全部楼层
强烈建议 楼主去看一本书   《微电子电路,第五版》
这本书对基本概念的分析和讲解可谓一绝
发表于 2013-4-16 12:09:28 | 显示全部楼层
依稀记得这个好像是晶体管沟道调制导致I-V曲线上翘,电流反向延长与电压有个交点,就叫厄尔立电压,反映的是沟道调制对于I-V特性的影响程度吧。
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