在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
楼主: sololzd

[求助] 什么是晶体管的early电压,哪位知道?

[复制链接]
发表于 2013-4-16 12:30:21 | 显示全部楼层
回复 10# lyfztz


    定义了一个新的系数 lamda 在mos中,但基本概念是一样的,就是mos管的输出电阻是有限的,并且越来越小了。 不过在短沟道中,我们更关心本征增益 gm/gds (仅仅与L和VDS有关)。   130m TSMS的管子 大概50到60左右的增益,短沟道工艺,想设计高增益的电路,有点难,一是本证增益小,而是供电电压才1.2V 使得cascode 不能用太多。

推荐 《微电子电路》
头像被屏蔽
发表于 2013-4-16 12:36:29 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
头像被屏蔽
发表于 2013-4-16 13:10:03 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
发表于 2013-4-16 13:20:23 | 显示全部楼层
回复 13# jxjxhwx


    恩,取非最小尺寸的管子是可以的。但主要供电电压才1.2V,想用cascode去提高增益,就牺牲了摆幅。 摆幅小了,信号功率小,相同信噪比的条件下,就必须把积分噪声做小,就导致要大电容,就导致功耗又上去了。

管子的本征增益一直在减小,更工艺相关。 高增益OTA难设计,static error的指标难满足,于是AD中有些不采用OTA了。

总之,低供电电压,短沟道的analog 难死了
头像被屏蔽
发表于 2013-4-16 13:29:49 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
 楼主| 发表于 2013-4-17 11:53:57 | 显示全部楼层
感谢各位,微电子电路,抽空得看下,应该对我目前的研究有帮助!
另外请教个其它的问题,跨导放大器的pspice建模各位有研究过吗?需要知道哪些参数(以运放参数为例即可)?
补充说明:
只建立功能性模型(瞬态/平均),不需要内部管子的详细参数。
发表于 2015-9-12 14:44:50 | 显示全部楼层
回复 11# JoyShockley


    版主 你说的那种id/gm的方法有没有复杂点的例子?看到好多教程都是单级放大器的例子。。。一遇到复杂电路,这种方法就不会用了。。。
发表于 2015-9-29 09:33:08 | 显示全部楼层
回复 8# wxwttf

是的  焦点就是电压值
发表于 2017-9-3 15:05:15 | 显示全部楼层
学习学习了!!!
发表于 2018-10-19 16:45:31 | 显示全部楼层
学习了,谢谢。感觉又学会东西啦
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-22 06:50 , Processed in 0.021306 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表