bandgap在工艺角仿真时，ss、ff差别较大，为什么，怎样可以解决？

ygchen2 · 发表于 2013-6-20 01:50:04

这是bjt和res变化的结果，和其他因素关系不大：
1.对于bjt，由于vref中含有vbe项，bjt的vth直接影响vref， ...
cyl 发表于 2013-6-19 09:30

登录/注册后可看大图

分析基本思路没错。不过第2点，电流变化20%，BJT电压变化应该没有20%那么大，BJT的I~V并不是线形关系。

cyl · 发表于 2013-6-20 08:47:25

回复 21# ygchen2

我想你误会了：res工艺角变化引起的bjt电压变化是热电势的20%……

ygchen2 · 发表于 2013-6-20 22:34:30

回复 22# cyl
不好意思，没看仔细，误会了。

aimu_wl · 发表于 2013-8-18 00:46:43

学习了！！！！

semico_ljj · 发表于 2013-8-18 08:21:12

nicer

sdqdxxl · 发表于 2015-2-4 11:22:43

感谢，学习了……

上海大学 · 发表于 2015-5-21 15:26:26

。。。。。。。。。。。

semico_ljj · 发表于 2015-5-21 18:42:26

xiaoquanic · 发表于 2015-5-22 09:07:16

本帖最后由 xiaoquanic 于 2015-5-22 09:09 编辑

学习了，一直做亚阈值的的电路基准，mc只仿mismatch就很好，340mv输出1.5mv标准差，但是仿了process就差了，340mv输出的基准，标准差达到26mv，因为电路用了两种阈值器件，2v和3v，温度范围做到了-20到120，tc小于10ppm，最大电流小于50nA，mc的process分析结果始终无法见人啊！！！

ygchen2 · 发表于 2015-5-22 09:50:56

回复 29# xiaoquanic

可以上个电路图一起看看吗？

[求助] bandgap在工艺角仿真时，ss、ff差别较大，为什么，怎样可以解决？

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