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楼主: chaoqunlv

[求助] bandgap在工艺角仿真时,ss、ff差别较大,为什么,怎样可以解决?

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发表于 2015-5-22 18:40:43 | 显示全部楼层
回复 30# ygchen2


   由于我的电路要发表,所以这里暂时贴上我的原会议论文图和一篇参考文献的图,我是取了参考文献图中的运放结构添加到我之前的电路中,性能是有了提升,但是蒙特分析还不是很好,之前的蒙特也不是很好

原理图

原理图

运放参考

运放参考
发表于 2015-11-12 11:28:58 | 显示全部楼层
回复 2# icdreamer


   您好,我想请教关于带隙基准电压工艺角仿真的问题,SS工艺角下输出基准电压波动范围大概将近10mv,应该如何调整电路呢,刚接触模拟电路设计,很多东西不懂,麻烦您能不能解释的详细一点
发表于 2016-5-26 17:24:17 | 显示全部楼层
回复 31# xiaoquanic


    你好!我做了个带隙基准,加入启动电路之后对电路进行整体功能的仿真,但是最后的波形却不是从0开始的,这是为什么呀?
原理图.jpg 仿真图.jpg 波形图.jpg
发表于 2016-6-1 17:02:59 | 显示全部楼层
回复 29# xiaoquanic


   你好,我最近也在处理一个nA级别的带隙,有些问题请教一下:       1   亚阈值区的管子,Vgs和Vth的差控制在多少比较保险?
       2   做亚阈值的电路主要考虑哪些因素来保障流出的片子可用呢?
       3   您用的是有运放的还是无运放的?如果有运放,运放也都在亚阈值区吗?
发表于 2016-7-1 19:28:04 | 显示全部楼层
回复 31# xiaoquanic
你好,最近我也在调试一个bg电路,我参考了一篇论文中的结构。

bg电路

bg电路


我在tt下可以把tc调节到几个ppm,但是ff和ss下就只有100多了,我看了下不同工艺角下的DC点,发现上面的电流源在tt和ss下是亚阈值。
在ff下是饱和区,不知道这个会不会对我的不同工艺角下的性能产生影响,不知道大神有没有什么解决办法。
谢谢
发表于 2017-3-20 14:28:22 | 显示全部楼层
学习了!
发表于 2019-5-3 11:57:01 | 显示全部楼层
学习学习
发表于 2021-8-23 19:55:44 | 显示全部楼层


204204 发表于 2016-6-1 17:02
回复 29# xiaoquanic


同问
发表于 2021-8-23 20:04:30 | 显示全部楼层


yshmilyou 发表于 2011-9-21 22:54
差异大,说明电路的失调比较大
原因有很多
1. 运放增益不够,导致在某些corner下环路增益不够,电路失调增 ...


你好 自己在做一个低功耗的振荡器 你说的那种小length的管子漏电导致失调,有什么方法可以修调整吗?
发表于 2022-4-3 23:06:14 | 显示全部楼层


层主你好,我最近也在做亚阈值电压参考,tt下ppm=4,sf下ppm就变为68了,想请教这种情况应该怎么改进呀
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