mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？

wyxzhd · 发表于 2016-4-27 13:13:44

学习一下

戴上面具做人 · 发表于 2016-5-7 07:22:41

学习了

zwtemptation · 发表于 2016-7-5 22:44:43

增大漏极孔到gate间距，一个作用是前面许多人提到的增加各个单元的分布式镇流电阻、让整个ESD mos管更均匀的导通；还有一个更重要的原因是，因为在ESD电流泄放过程中，电流是通过D往S、sub跑的，此时D-sub结上有电压、大电流，就会有大功耗、发热，短时间足以使D-sub结区域的体硅温度升高到使接触孔中铝融化的高温（也就是450度左右即可）。加大漏极孔到gate，可是接触孔远离发热区。
而源极孔到gate间距为什么又不需要加大这么多了、稍微放大一点即可？因为源极到发热的D-sub结间有低浓度的沟道区，导热系数较低；相反的漏极孔到D-sub结是高浓度漏区、甚至是有salicide（硅化物）导热系数大的多。