mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？

yutaotmac · 发表于 2011-8-30 11:02:50

说的好啊！！

jiangtaojack · 发表于 2011-8-31 09:49:15

回复 chenhongtv

2楼说得对，增加漏端的距离是为了使漏极的串联电阻变大，相当于在ESD的引脚上串 ...
lixiaojun707 发表于 2011-8-25 14:52

登录/注册后可看大图

确实是这样的！

纯白雾隐 · 发表于 2011-9-16 14:16:30

mark。。。。。。。。

chiarella · 发表于 2011-9-16 16:25:54

增大漏区电阻的说法我有疑问，好像电阻变大了就可以增加压降，没有电流的时候呢，电阻还有作用么？所以我觉得增加漂移区宽度的说法比较合理。比如说drift mos, 那个增加的漏端距离也是电阻么？哈哈。欢迎讨论。

peterlin2010 · 发表于 2011-9-19 10:40:12

一般來說 nmos drian 接到 output PAD , 須要加大 RD
如果是有些 process 有 esd implement 就會把 ldd 打掉也是增加 rd

, 加大 Rd 會增加 esd 能力 ..所以 io rule 和 core rule 會在這邊有關 ,
另個是 latch Up rule , 多數 drc lvs 都是只有 io 的 latch up ..
但有些 core design , layout 太近會發生 latch up 都要打玩 latch UP 照 emmi (漏電 )
或 obrich 後來查 , 一般 obrich 看 metal 間是否吃不乾淨 short ,
EMMI 是看 p/n junction leakage ..
但 latch up發生後　就可能　漏電　

skchen_001 · 发表于 2011-12-7 17:50:43

源相当一个小电阻起到降压振流的作用, 可防止大电流从漏端进来影响到POLY.

loopgain · 发表于 2011-12-12 16:28:52

其原理是限制各个contact电流，使各部分channel均匀trigger吧

半成品 · 发表于 2011-12-12 21:47:13

学习了

489315174 · 发表于 2011-12-15 21:18:00

楼上都是大侠

loopgain · 发表于 2011-12-25 09:37:32

Drain端的电场比Source端大

[求助] mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？

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