mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？

仁政德 · 发表于 2019-7-11 20:46:01

你学过二极管的原理就很清楚了，esd的作用和二极管可逆转试击穿一样的效果，关于pn节的原理，可以参考一下微电子器件书籍，或者到电子可以到电子科技大学的微电子专业去学下一下器件原理。

zlaizl · 发表于 2019-7-15 11:43:47

不止要拉大gate到drain的距离还要再drain上加SAB经行高阻处理

tjjsjin · 发表于 2019-7-15 15:11:20

mark一记

duckbig · 发表于 2021-1-3 15:12:02

谢谢楼上的各位解答

studyfriendship · 发表于 2023-4-24 17:30:28

好东西

Lengyuchen · 发表于 2023-9-7 15:58:43

古德古德

GoingtoStudy · 发表于 2024-4-12 09:02:30

确实了解到了很多，谢谢

XPangZI · 发表于 2024-9-5 10:35:33

学习学习感谢

tiaotiaotang404 · 发表于 2024-9-5 16:35:29

学习了

pennyxm · 发表于 2024-9-5 17:25:45

拉开Drain CONT到POLY的距离，增加SAB BLOCK , 首先增大电阻增加限流有利于导通的一致性，再有GGNMOS是靠寄生的NPN释放电流，Drain 等效是NPN的C， C需要面积大。

[求助] mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？