据说格雷的《模拟集成电路的分析与设计(第4版)》翻译的不好

我是130 · 发表于 2009-10-7 16:29:21

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有没那位高人具体说一下不好在什么地方吗？谢谢

whxd123 · 发表于 2009-10-7 17:42:39

是北航翻译的。宿舍同学买过这本中文书。微电子的基本词汇都不会翻，比如离子注入，PN结等等。我看过一章，简直是煎熬。建议先看西交微电子所翻译的拉扎维那版，熟悉基本概念后再看格雷的英文版。

我是130 · 发表于 2009-10-8 21:01:32

谢谢指教啊

323217588 · 发表于 2009-10-8 22:22:12

这本比较难，还是先看拉扎维的吧

xyn777 · 发表于 2009-10-9 12:01:33

P R 。GRAY 这本宝书，被北航的张晓林教授，赵琪博士糟蹋了，可惜，暴殄天物是某些中国学者特长。

E page 644 : the theory applies in general to any active circuit,but the 【unique】 device parameters of MOSFET cause some of the approximations that were made in the preceding analyses to become invalid.

中 606 大体上，这理论方法适用于任意有源电路，但是MOSFET的唯一的器件参数使一些在前面分析中或得的近似值无效。

E page 630: consider the vertical distance between the curve of 20loga(jw)and the line 20log1/f in figure 9.8

中591：考虑20loga(jw) 的曲线之间的垂直距离和图9.8中的20log1/f 的线段。

更要命的是，原文所有的【  xx dB/ octave 】被译成了【 XX dB/ 十倍频程】

像这样读不懂的地方举不胜举，结论：尽可能的看英文