关于mos管体效应的问题请教

Genny · 发表于 2009-6-15 20:17:14

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比如nmos管，体效应产生的原因是衬底电压低于源极电压，那么在实际电路中是否可以把mos管衬底和源极连以来，消除体效应？谢谢

Young_W · 发表于 2009-6-15 22:10:10

这样许多管子需要单独做井，面积会比较大

sea11038 · 发表于 2009-6-16 23:23:48

衬底和源极连接可以很大程度上消除体效应，但寄生电容会变大，而且体效应也不仅仅跟这有关，还跟一些其它的高阶效应有关，你看看BSIM的说明书里关于阈值电压的公式就知道了。Allen的教材CMOS模拟集成电路设计中文版第二版的149~150页有关于衬底接法不同的说明！

Bob_Mattson · 发表于 2009-6-16 23:25:53

工艺上不可实现

juliansky · 发表于 2009-6-17 17:09:52

nmos衬底是P井只有接相同的地电位

intercon · 发表于 2009-6-17 17:30:36

原帖由 Genny 于 2009-6-15 20:17 发表

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比如nmos管，体效应产生的原因是衬底电压低于源极电压，那么在实际电路中是否可以把mos管衬底和源极连以来，消除体效应？谢谢

除非在P WELL 工艺

rainheart · 发表于 2009-6-17 18:07:25

原帖由 Young_W 于 2009-6-15 22:10 发表

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这样许多管子需要单独做井，面积会比较大

为什么源与衬底相连的管子要单独做井？

Genny · 发表于 2009-6-17 19:01:06

那如果是像tsmc.18 rf工艺，对于deep n－well nmos管，可以把源衬底短接减小体效应吧？

pipida · 发表于 2009-6-17 23:22:30

it depends on technology and layout style you use. If you use guard rings and dual-well technology, most likely the backgate and the power rail are not connected directly.

piao · 发表于 2009-6-18 20:16:47

原帖由 Bob_Mattson 于 2009-6-16 23:25 发表

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工艺上不可实现

多阱工艺就可以实现了

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