上一篇出现了频率缩水的问题,主要是因为对管的寄生电容的影响,因此重新设计电容阵列,方法1:原来的电容阵列是以600M的调频范围去设计的,最后仿真得到的调频范围只有360M,因此增大设计冗余度,以1G的调频范围来计算出新的电容阵列值,最后仿真得到的调频范围为480M。依旧不满足600M的要求; 方法2:仍然按照600M的调频范围来计算电容阵列值,在实际电路中采用两倍的电容计算值,得到的频率范围有600M;
设计了采用二进制权重法的电容阵列来对比线性度和相噪,可以看出线性度得到较好的提高,但是相噪却差了1dB左右; 分析原因:应该是线性化需要6组电容开关,并且为了节省面积,使用与或逻辑重复利用了一些电容阵列,因此相对二进制权重法阵列的4组开关,多出了很多有源器件。相噪因此降低!
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