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楼主: kwankwaner

[求助] LDO出现的怪现象,求解答

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 楼主| 发表于 2013-7-31 12:11:53 | 显示全部楼层
回复 40# math123


    仔细看了下有些疑问,我觉得有钳位功能的应该是反偏的zener管,正偏的bipolar的PN结,效果肯定是前者好。
    MOS是压控,恐怕不能钳位。
    图中的是用反偏的bipolar结吗?这个结压能有多准?breakdown之后还能恢复吗?
 楼主| 发表于 2013-7-31 12:15:33 | 显示全部楼层
回复 39# jiang_shuguo


    上次你说的表达有误有没有新的订正呢?MOS如何钳位呢?
发表于 2013-7-31 13:29:47 | 显示全部楼层
本帖最后由 math123 于 2013-7-31 14:23 编辑

是的,bipolar的BE结反向击穿。
格雷书上1.3.4说的,BE结可做zener来使用

BV.jpg

至于击穿电压的精度,我想这个电压主要由pn结两边的浓度决定,bipolar工艺会尽量把BE结的浓度做精准。

或者可以看下有zener的工艺文档,与NPN的mask对比下,这样对精度有个大概的概念。

见过的高压电路不多,只在一个芯片图片里面看到两个regulator都是这样的保护结构,只能说参考了。
发表于 2013-7-31 15:20:58 | 显示全部楼层
回复 42# kwankwaner


    我说的有误是你理解上的,diode mos 是指diode连接的mos。谁知道你连这个都不知道。
发表于 2013-7-31 15:23:36 | 显示全部楼层
回复 43# math123


    钳位,您知道zener钳位的本质么?利用钳位的本质,而不是利用表象。
发表于 2013-7-31 15:26:30 | 显示全部楼层
也没必要让我解释本质,依葫芦画瓢是不会出错的。祝各位用好zener。
发表于 2013-7-31 15:53:20 | 显示全部楼层
我先对我说话的方式和语气道个歉,毕竟不想应为这个而在论坛上吵起来。
对于我说的diode mos钳位是没问题的。当然你有zener可用,工艺支持,很好,zener钳位很好,除了漏电和寄生电容。diode mos 钳位不是利用mos管中的pn结去钳位,是用mos饱和导通钳位,所谓active clamp 。这种钳位也很有效。
我对math123 ,kwankwaner 说话的语气不好,我道歉。但我年青气盛,我很想说句:“很多工作年限长点的工程师,对很多问题根本没看透,就凭比新人多的经验,去解决问题。但实际上,透过本质,可以有很多解决方法。我认为这个帖子就是这么一个例子。
 楼主| 发表于 2013-7-31 17:37:38 | 显示全部楼层
本帖最后由 kwankwaner 于 2013-7-31 17:41 编辑

回复 43# math123


    看书好仔细!我看了下几个工艺的文档,BE的breakdown电压确实都在6-8之间。看来是可以用的,谢谢。不过有的提到热击穿的问题,要和工艺厂确认再用,TI用自己的估计已经流片验证好多次了,所以没问题。
    有些工艺只有垂直PNP的可能也不能用这个方法了

    不过引用的那段里面的结论有些混乱,我去看看英文版怎么说
 楼主| 发表于 2013-7-31 18:31:29 | 显示全部楼层
回复 47# jiang_shuguo


    主要是你说的方式IV曲线不够陡,所以我认为没有钳位功能,你都没看回帖
    另外你说的active clamp,好像不是diode mos吧
发表于 2013-8-1 06:22:19 | 显示全部楼层
其实很多击穿效应都可能被用于过压保护电路。MOS管的寄生BJT是本来就有的。就看如何能用得好了。

工程上,往往是说“可以”容易,说“不能”很难,过去很多“不可能”现在却变得司空见惯了。。。
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