LDO出现的怪现象，求解答

kwankwaner · 发表于 2013-7-31 12:11:53

回复 40# math123

仔细看了下有些疑问，我觉得有钳位功能的应该是反偏的zener管，正偏的bipolar的PN结，效果肯定是前者好。
MOS是压控，恐怕不能钳位。
图中的是用反偏的bipolar结吗？这个结压能有多准？breakdown之后还能恢复吗？

kwankwaner · 发表于 2013-7-31 12:15:33

回复 39# jiang_shuguo

上次你说的表达有误有没有新的订正呢？MOS如何钳位呢？

math123 · 发表于 2013-7-31 13:29:47

本帖最后由 math123 于 2013-7-31 14:23 编辑

是的，bipolar的BE结反向击穿。
格雷书上1.3.4说的，BE结可做zener来使用

至于击穿电压的精度，我想这个电压主要由pn结两边的浓度决定，bipolar工艺会尽量把BE结的浓度做精准。

或者可以看下有zener的工艺文档，与NPN的mask对比下,这样对精度有个大概的概念。

见过的高压电路不多，只在一个芯片图片里面看到两个regulator都是这样的保护结构，只能说参考了。

jiang_shuguo · 发表于 2013-7-31 15:20:58

回复 42# kwankwaner

我说的有误是你理解上的，diode mos 是指diode连接的mos。谁知道你连这个都不知道。

jiang_shuguo · 发表于 2013-7-31 15:23:36

回复 43# math123

钳位，您知道zener钳位的本质么？利用钳位的本质，而不是利用表象。

jiang_shuguo · 发表于 2013-7-31 15:26:30

也没必要让我解释本质，依葫芦画瓢是不会出错的。祝各位用好zener。

jiang_shuguo · 发表于 2013-7-31 15:53:20

我先对我说话的方式和语气道个歉，毕竟不想应为这个而在论坛上吵起来。
对于我说的diode mos钳位是没问题的。当然你有zener可用，工艺支持，很好，zener钳位很好，除了漏电和寄生电容。diode mos 钳位不是利用mos管中的pn结去钳位，是用mos饱和导通钳位，所谓active clamp 。这种钳位也很有效。
我对math123 ，kwankwaner 说话的语气不好，我道歉。但我年青气盛，我很想说句：“很多工作年限长点的工程师，对很多问题根本没看透，就凭比新人多的经验，去解决问题。但实际上，透过本质，可以有很多解决方法。我认为这个帖子就是这么一个例子。

kwankwaner · 发表于 2013-7-31 17:37:38

本帖最后由 kwankwaner 于 2013-7-31 17:41 编辑

回复 43# math123

看书好仔细！我看了下几个工艺的文档，BE的breakdown电压确实都在6-8之间。看来是可以用的，谢谢。不过有的提到热击穿的问题，要和工艺厂确认再用，TI用自己的估计已经流片验证好多次了，所以没问题。
有些工艺只有垂直PNP的可能也不能用这个方法了

不过引用的那段里面的结论有些混乱，我去看看英文版怎么说

kwankwaner · 发表于 2013-7-31 18:31:29

回复 47# jiang_shuguo

主要是你说的方式IV曲线不够陡，所以我认为没有钳位功能，你都没看回帖
另外你说的active clamp，好像不是diode mos吧

ygchen2 · 发表于 2013-8-1 06:22:19

其实很多击穿效应都可能被用于过压保护电路。MOS管的寄生BJT是本来就有的。就看如何能用得好了。

工程上，往往是说“可以”容易，说“不能”很难，过去很多“不可能”现在却变得司空见惯了。。。

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