LDO出现的怪现象，求解答

jiang_shuguo · 发表于 2013-8-1 12:47:40

回复 60# kwankwaner

当然可行

jiang_shuguo · 发表于 2013-8-1 12:49:11

回复 58# kwankwaner

就是你要保护的两个节点间的电压

kwankwaner · 发表于 2013-8-1 17:51:49

回复 62# jiang_shuguo

mos没法稳住

jiang_shuguo · 发表于 2013-8-1 19:30:54

回复 63# kwankwaner

在告诉你一遍，mos没问题。你慢慢研究吧

kwankwaner · 发表于 2013-8-1 20:05:01

回复 64# jiang_shuguo

无凭无据，不是做研究的态度

hszgl · 发表于 2013-12-21 22:16:19

回复 64# jiang_shuguo

MOS可以，BJT也可以，但是有风险。我原来也想这么做，但是因为不知道会不会有不可恢复性击穿的可能，也不知道击穿后电流多大会不会造成过热，工艺均匀性更无从考虑，所以在自己做几个批次的PCM之前，不敢用。其实这种事情最好先和CE沟通下，如果fab已经有数据，不妨一试。

semico_ljj · 发表于 2013-12-22 10:24:56

guanzhu

jiang_shuguo · 发表于 2013-12-22 11:10:39

回复 66# hszgl

我的都是硅上验证过的结果。

hszgl · 发表于 2013-12-22 15:02:15

回复 68# jiang_shuguo

搞这个前期资本投入有点大，而且要比较长远的规划，项目时间要求紧，就没来搞。以后也会做下验证，能透露下你验证过的都是哪家的哪些工艺么？以后可以参考。多谢！

liamnoell · 发表于 2013-12-23 12:59:26

某些bjt 可能被打开了

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