请教一下LDO的PSRR问题

soulhenry

同问，期待高手给予详尽的解答！

icyfish

原帖由 USTM 于 2009-8-5 14:16 发表

                               
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看频率是多少下，如果是1K下60dB一般，如果10K下还有60dB以上，就还可以！

这个的水平也是很一般吧，就是转换成两级放大器实现60dB 情况下主极点放在什么位置了

jeff_zx

LDO的PSRR基本分为3段
低频
中频
高频
低频时，loop gain很大所以psrr有好的表现
中频时，loop gain减小，当小到一定的程度，PSRR就变成了功率MOS和输出阻抗的分压比，此时的PSRR最差
高频时，loop gain基本没有了，PSRR完全是功率MOS和输出阻抗的分压比，但是输出电容在高频时的阻抗变小，因此高频时PSRR反而变好
要想好的PSRR比如10K60db，你就要提高你LDO的带宽，但本身就不容易稳定的东西高带快更难，所以不容易。

semico_ljj

原帖由 jeff_zx 于 2009-8-18 11:53 发表

                               
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LDO的PSRR基本分为3段
低频
中频
高频
低频时，loop gain很大所以psrr有好的表现
中频时，loop gain减小，当小到一定的程度，PSRR就变成了功率MOS和输出阻抗的分压比，此时的PSRR最差
高频时，loop gain基本没 ...

nice!

confiope

原帖由 icyfish 于 2009-8-12 14:42 发表

                               
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这个的水平也是很一般吧，就是转换成两级放大器实现60dB 情况下主极点放在什么位置了

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站着说话不腰疼
用0.5工艺，做个10KHZ，PSR 60DB以上的试试？

jeff_zx

原帖由 confiope 于 2009-8-27 13:12 发表

                               
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---------------------- 站着说话不腰疼用0.5工艺，做个10KHZ，PSR 60DB以上的试试？

呵呵，是啊！
做过LDO的人应该都知道10Khz，60dB PSRR不是一件简单的事情。尤其是单片的，200mA以上的。

confiope

原帖由 jeff_zx 于 2009-8-27 13:59 发表

                               
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呵呵，是啊！做过LDO的人应该都知道10Khz，60dB PSRR不是一件简单的事情。尤其是单片的，200mA以上的。

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公司要我用0.5工艺，负载1~300mA
10K  PSR 60DB 的LDO
现在头疼的要死！！
找了一些文献，
但是工艺不一样，他们要么是0.18的
或者负载比较小

jeff_zx

原帖由 confiope 于 2009-8-27 15:04 发表

                               
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------------------------- 公司要我用0.5工艺，负载1~300mA 10K PSR 60DB 的LDO 现在头疼的要死！！找了一些文献，但是工艺不一样，他们要么是0.18的或者负载比较小

07年JSSC有一篇TI的LDO的paper采用的super source follow的架构基本上PSRR可以达到这个指标，paper里没有提，但确实可以做到。

我知道的一些10Khz 高PSRR的LDO都不是用米勒补偿做的，是靠零极点对稳定的

confiope

原帖由 jeff_zx 于 2009-8-28 00:36 发表

                               
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07年JSSC有一篇TI的LDO的paper采用的super source follow的架构基本上PSRR可以达到这个指标，paper里没有提，但确实可以做到。 我知道的一些10Khz 高PSRR的LDO都不是用米勒补偿做的，是靠零极点对稳定的

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这位大侠能否给我这篇文章啊？

不胜感激！！

jeff_zx

原帖由 confiope 于 2009-8-28 09:42 发表

                               
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------------------------------------- --------------------------- 这位大侠能否给我这篇文章啊？ 不胜感激！！

A Transient-Enhanced Low-Quiescent Current Low-Dropout Regulator With Buffer Impedance Attenuation