ESD diode引起Latch up

wensi · 发表于 2023-4-13 10:10:54

cqyzqd 发表于 2023-4-10 14:37
测试时候vlimit是多少？stress时候电源上的电流有多少？是电源到地烧掉，还是本身diode烧了？
...

这是一个18v高压pin，电压钳位到21.6v，加了100mA stress之后，这个pin对地短路了，照片显示diode烧掉了。

cqyzqd · 发表于 2023-4-13 18:26:49

wensi 发表于 2023-4-13 10:10
这是一个18v高压pin，电压钳位到21.6v，加了100mA stress之后，这个pin对地短路了，照片显示diode烧掉了 ...

这个严格讲不是latchup，正向电流进芯片通过diode到电源，这个pin脚的MSV是多少呢？标准其实是允许调整电源电压

wensi · 发表于 2023-4-14 09:32:08

cqyzqd 发表于 2023-4-13 18:26
这个严格讲不是latchup，正向电流进芯片通过diode到电源，这个pin脚的MSV是多少呢？标准其实是允许调整电 ...

请问这个严格讲不是latchup怎么理解？ MSV是指什么？这个pin用的diode其他地方也用了，不过是多个pin连在一起用的，这个pin是单独一个，连一起的就没有问题，单独一个出问题，说明应该不是diode导通能力的问题，谢谢。

cqyzqd · 发表于 2023-4-14 15:54:27

latchup我理解重点是看激励撤销后是否有持续大电流。Maximum stess voltage，你这个更应该归因为高压叠加大电流导致的失效，只是测latchup的时候出现了。

ksj116 · 发表于 2023-4-22 09:45:27

版主的话没听进去吧，你去仔细看LUP发生原理，然后分析下你的Pdio+Ndio会不会发生LUP。另外，你测试的应该
是Voltage stress LUP

wensi · 发表于 2023-4-23 10:04:12

cqyzqd 发表于 2023-4-14 15:54
latchup我理解重点是看激励撤销后是否有持续大电流。Maximum stess voltage，你这个更应该归因为高压叠加大 ...

我感觉你说的这个有道理，这个是撤掉stress之后被测pin open了，自己相关的电源电流没有明显变大，但是diode烧伤导致不相关的一个低压电源pin短路了。
另外就是同样的Pdiode和Ndiode连成一排用可以过200mA stress，猜测是单独用的时候Pdiode外面没有环起来，导致电流导通能力减弱了。
谢谢啦。

hutiao · 发表于 2023-8-15 16:28:38

请问找到原因了没？

gratwo · 发表于 2023-12-8 09:37:55

就是latchup烧的。NPNP，你这个太标准了，并且没有gr。

太容易发生latchup了。
另外这两个diode离得也很近

你测试是常温100mA吧？
温度提到85的话，估计50mA都过不了

[求助] ESD diode引起Latch up

站长推荐 /2