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楼主: wensi

[求助] ESD diode引起Latch up

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发表于 2023-4-4 10:00:29 | 显示全部楼层


这个烧坏的点是平时使用(测试)时会发生的情况,还是只有再测试latchup时才出现的,你们测的是多少mA的。
 楼主| 发表于 2023-4-4 10:38:57 | 显示全部楼层


billgolden 发表于 2023-4-4 10:00
这个烧坏的点是平时使用(测试)时会发生的情况,还是只有再测试latchup时才出现的,你们测的是多少mA的 ...


这个是测试latch up的时候才发生的,+100mA,平时使用没有烧毁。


发表于 2023-4-4 11:27:35 | 显示全部楼层


wensi 发表于 2023-4-4 10:38
这个是测试latch up的时候才发生的,+100mA,平时使用没有烧毁。


这样的话,感觉就是设计的小了,可以测试一下是不是可以过+25mA(推测是可以),这个pad是为了减少寄生才放的小的吧。
 楼主| 发表于 2023-4-4 11:39:18 | 显示全部楼层


billgolden 发表于 2023-4-4 11:27
这样的话,感觉就是设计的小了,可以测试一下是不是可以过+25mA(推测是可以),这个pad是为了减少寄生才 ...


这个pad可以过50mA的,diode放这个位置是因为没有地方放了,设计的小了是什么意思?
发表于 2023-4-4 13:38:32 | 显示全部楼层


wensi 发表于 2023-4-4 11:39
这个pad可以过50mA的,diode放这个位置是因为没有地方放了,设计的小了是什么意思?
...


小了就是dio的size小了,尺寸至少再加大一倍。另外版图上还可以优化一下,Pdio的N+最好是封闭的
发表于 2023-4-4 13:59:55 | 显示全部楼层
我的日志里有专门讲解Latch up的文章,这种情况就是内部寄生的SCR导通了,解决方案也在博文中写了。
 楼主| 发表于 2023-4-4 14:02:22 | 显示全部楼层


billgolden 发表于 2023-4-4 13:38
小了就是dio的size小了,尺寸至少再加大一倍。另外版图上还可以优化一下,Pdio的N+最好是封闭的
...


为什么diode的尺寸小了容易发生latchup呢,Pdio我也感觉封闭会更好一些,谢谢。
发表于 2023-4-4 14:08:19 | 显示全部楼层


wensi 发表于 2023-4-4 14:02
为什么diode的尺寸小了容易发生latchup呢,Pdio我也感觉封闭会更好一些,谢谢。
...


由于尺寸太小了,它本身承受不了100mA的电流,如果强行给它灌入这么大电流一样是可以把它烧坏的。详细看的话可以看看latup失效的数据,100mA撤掉后电流还有多少。对于这个pad,它的ESD性能相应的也可能会差,和其它的相比。
 楼主| 发表于 2023-4-4 14:11:28 | 显示全部楼层


billgolden 发表于 2023-4-4 14:08
由于尺寸太小了,它本身承受不了100mA的电流,如果强行给它灌入这么大电流一样是可以把它烧坏的。详细看 ...


我疑惑的是,一排一起用的时候,对单个pad的ESD diode来讲,大小都是一样的,灌100mA就没有触发latch up,单独一个pad 用的时候就触发了,这个有点奇怪。

 楼主| 发表于 2023-4-4 14:12:31 | 显示全部楼层


u12u34 发表于 2023-4-4 13:59
我的日志里有专门讲解Latch up的文章,这种情况就是内部寄生的SCR导通了,解决方案也在博文中写了。 ...


谢谢啦。
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