CMOS图像传感器系列 - 3 像素设计基础

Bayamx · 发表于 2022-4-1 19:34:09

feynmancgz 发表于 2022-4-1 15:23
关系倒不是很大，但其实用PPT画起来很容易，我就用PPT画的

还一直在想这是用什么软件画的，没想到是ppt，哈哈哈

colnie · 发表于 2022-4-13 16:34:31

feynmancgz 发表于 2022-3-27 03:47
首先UV的话，肯定是用BSI比较好。再是，您是指哪种UV？UV的range其实也不小，10～400nm都可以是UV。 300 ...

感谢楼主回复，主要是电路设计这块，200nm以下的UV光对芯片损伤，NMOS漏电流？或者是电阻大小等影响？

feynmancgz · 发表于 2022-4-18 20:59:37

colnie 发表于 2022-4-13 16:34
感谢楼主回复，主要是电路设计这块，200nm以下的UV光对芯片损伤，NMOS漏电流？或者是电阻大小等影响？
...

200nm以下如果你想直接检测的话，建议使用BSI，这样就不会对前面的device产生影响，只需要注意背面的passivation和ARC就行。FSI会很难用，因为一般的ARC会让200nm一下的QE很低，另外150nm一下，SiO2对UV还会有强吸收。或者你用scintillator转成绿光，再做检测，这样倒是可以用FSI。

wushangkeji · 发表于 2022-4-19 18:45:52

学习了，谢谢分享。

colnie · 发表于 2022-4-26 08:35:59

feynmancgz 发表于 2022-4-18 20:59
200nm以下如果你想直接检测的话，建议使用BSI，这样就不会对前面的device产生影响，只需要注意背面的pass ...

谢谢大神。

我意思可能没有表达的非常清楚。如果去设计一款UV应用的CIS，除了BSI/passivition/ARC等像素array部分，外围电路设计有哪些考虑，针对UV使用的life time和performance

zhy00win · 发表于 2022-4-26 15:41:51

colnie 发表于 2022-4-26 08:35
谢谢大神。

我意思可能没有表达的非常清楚。如果去设计一款UV应用的CIS，除了BSI/passivition/ARC等像 ...

请教下，UV的cis是应用在哪里的？？

feynmancgz · 发表于 2022-4-27 18:09:02

本帖最后由 feynmancgz 于 2022-4-28 02:24 编辑

colnie 发表于 2022-4-26 08:35
谢谢大神。

我意思可能没有表达的非常清楚。如果去设计一款UV应用的CIS，除了BSI/passivition/ARC等像 ...

用BSI的话，不需要太考虑，200nm以下的absoprtion length都是nm级，根本到不了前面对其他器件产生影响。除非你是做EUV级的？

feynmancgz · 发表于 2022-4-28 02:34:15

zhy00win 发表于 2022-4-26 15:41
请教下，UV的cis是应用在哪里的？？

其实不少，工业上像是材料检测啊，很多，还有生物医疗，当然还有国人心心念念的光刻机

Foliage-Deng · 发表于 2022-4-30 16:00:59

追更

xywykxx · 发表于 2022-6-13 13:49:36

前辈下午好，上次在您的帮助下现在成功推进到post-sim阶段了，十分感谢！现在在分析cmp结果时发现cmp 两次量化相减的输出会很有规律的相隔几十列就呈现图中这种波形（C+CC），有些费解，不太清楚能从哪方面着手分析了……

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