关于BCD工艺下的多个ldmos管应该怎么实现并联连接

P_duan

这边在BCD工艺下的多个ldmos管想实现并联连接，应该怎么连啊？整体的连线我咨询过一些朋友说可以参考大功率管的匹配连接方法来实现LDMOS之间的互联，另外BCD工艺下的layout需要注意些什么呢？下图为我所理解的示意图，跪求前辈赐教。。。。。。因为BCD工艺的高压管都自带HVBN或者PSUB隔离环的，实际该工艺下管子之间的连线有什么特么注意的地方呢？有没有可以参考的BCD工艺的layout？可以分享一下不。。。。

843071455

P_duan 发表于 2020-11-27 14:03
这里有一个“ldmos“”的剖面图，这个图上就很明确的说明了HVBN的隔离环是高电位的需要和器件本身的D端 ...

看你图示的nldmos的结构，如果器件漏端是相同电位你可以把最外面的psub环隐藏掉,然后将器件的漏端合并起来，而不是把hvbn环也隐藏，那样肯定是不可以的，你把合并完的器件在最外面加个大的psub环，如果drc没有报错，那就是说明规则是允许的，但是这个时候也要注意一定要确保hvbn环电位是合并器件里最高的，因为有的管子特殊用法，导致s端比d端电位高，如果是这样那就不能合并，因为会有寄生的pnp导通，如果你合并器件会有drc的问题，那就不能这么合并只能是每个nldmos独立然后把每个管子的psub环重叠起来，至于你说的低压是可以把hvbn环隐藏掉然后把低压器件都放在一起最后加一个hvbn环和psub环！有的工艺要求低压pmos的阱也必须给hvbn环连接在一起，如果是这样你只要把电位不同的低压pmos放在两个hvbn环内就可以了，只要是阱电位相同的低压pmos连接是不是相同都无所谓都是可以放在同一个hvbn环内的(也包括低压nmos)，如果规则没有要求低压阱必须和hvbn环同电位，那么低压器件都是可以放在同一个hvbn环内的，只要确保hvbn电位做隔离时是器件中的最高电位即可！

P_duan

更新一下上面的示意图，欢迎大家来讨论一下BCD工艺相关知识

tuohong

并联为什么不能选多finger呢，是PDK规定所有器件finger必须等于2吗？

even810223

可以选多finger，放在同一个ring里面

P_duan

even810223 发表于 2020-11-26 09:50
可以选多finger，放在同一个ring里面

您说的改finger数也只适用于相同的管子之间的并联啊。。。比如ldmos(A)连接ldmos(B),需要注意些什么？

P_duan

tuohong 发表于 2020-11-26 09:00
并联为什么不能选多finger呢，是PDK规定所有器件finger必须等于2吗？

改finger是要基于管子大小一样才可以把，管子不一样呢？比如我图上的是6个不一样的管子，基于BCD工艺下，应该怎样实现layout的实现?具体有哪些特殊的讲究呢？coms工艺下器件本身没有自带隔离环，实际实现连接的时候可以把衬底端给隐藏掉，最后管子的某一端合并完了再整体包对应的保护环，这样来控制整体的面积，但是对于BCD工艺而言呢？

even810223

P_duan 发表于 2020-11-26 13:43
您说的改finger数也只适用于相同的管子之间的并联啊。。。比如ldmos(A)连接ldmos(B),需要注意些什么？
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不要在管子上跨线，高压pring可以共用，还请其他大神补充

843071455

这个没有什么统一的准则，主要是以设计规则为准，有的设计规则允许合并有的不允许合并，如果pldmos或者nldmos合并在一起并不会报drc问题,那么就可以按照你说的把每个管子的ring隐藏然后合并在一起，最外面画一个大的ring,如果器件电压比较高，那器件布线就应该通过高层铝连接出来，并且线的间距可以适当放大，有的pdk做的不好可能ring不一定能隐藏，如果是这样的话，为了省面积可以把pdk打散自己把ring删掉然后进行合并，只要确认合并后不会有寄生的npn或者pnp在两个管子之间导通就应该没有什么问题，个人见解，仅供参考。

P_duan

even810223 发表于 2020-11-26 16:29
不要在管子上跨线，高压pring可以共用，还请其他大神补充

意思不能像我图上这样用高层metal来横跨？参照功率管而言，这样分段式的接法可以最大限度的引流啊，你的意思是要把三端的电流引出去在最外面的PSUB环来连接？这样线不会越长寄生越多么？另外就是摆放的问题，我就直接两个管子零距离拼接起来的，