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楼主: lhlbluesky

[求助] LDO输出电压,测试异常

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发表于 2020-6-28 00:18:53 来自手机 | 显示全部楼层
最大设计负载是多少?待载能力强的LDO空载输出不准是正常现象,所以很多LDO有最小负载的要求.
发表于 2020-6-28 10:47:01 | 显示全部楼层
测试空载输出稳定吗?解决问题先从空载入手,贴个电路图看看
 楼主| 发表于 2020-6-30 11:49:49 来自手机 | 显示全部楼层
空载不准,不可能吧。现在,空载离散很大。电路很简单,就是err amp+功率pmos+分压电阻串+补偿电容。另外,查版图时发现,功率pmos的衬底形成环路,功率pmos的gate采用两端连接也形成了环路,这样的环路会有影响吗,类似电感线圈之类的
 楼主| 发表于 2020-7-1 16:16:40 | 显示全部楼层
现在仿真模拟,当电流镜像对管的其中一个管子的一部分gate浮空,浮空电位相对正常值偏+/-0.3V左右,输出电压的5V会引起10%左右的偏差,但实际中,gate浮空很难出现吧,除非漏打contact,几率应该很小。
另外,当有50mA负载时,5V电压值相对空载下降200mv,感觉存在4ohm的寄生电阻,但查了layout和pcb走线,总寄生加起来不会超过0.3ohm。再就是,环路的增益降了很多,至少比正常情况降了9倍,这感觉也不太可能,多大的工艺偏差会导致这么大的gain下降。
在有可能,就是poly-nwell电容漏电,但漏电得达到1uA以上,才会产生如此大的偏差,应该也不会有这么大的漏电吧。
再就是上面说到的layout走线成环的问题,空载都偏很多,感觉也不是这里。

现在好像没思路了,各位,有没有什么idea?

BTW,万用表的正负端之间的内阻,一般多大,我查到是10Mohm,是这样吗?这个内阻怎么调整?
发表于 2020-7-1 16:27:34 | 显示全部楼层
输入对管失配百分之10,如果vth=0.7V,单单VTH的失配vos_in=70mV,输出产生5/1.23*70mV=284mV的误差。不知道你怎么仿真失配百分之10的。mc和loopgain有关系?
发表于 2020-7-2 02:17:30 | 显示全部楼层
用示波器看看空载时是不是oscillate,还有,电容的图画出来,否则读不明白你是怎么接的。
发表于 2020-7-2 02:21:50 | 显示全部楼层
另外,高压bcd工艺不清楚,W/L的ratio= 450:1 是否足够 50mA?
 楼主| 发表于 2020-7-2 11:10:35 | 显示全部楼层
输入对管的失配,我仿得是对管的W值偏差10%,不是vth,工艺文件的vth mismatch不会大于4mv。
空载时输出电压没有振荡行为。
电容正=poly,电容负=nwell,正端接V5输出,负端接VFB反馈节点;另外的dummy电容,正负端短接并浮空。
功率管的W/L=800/1,不是450/1,可以承受50mA负载,仿真确认过。

如果是输入对管的vth失配,那么失配最大可能为150mV,不可能这么大吧,工艺得烂到啥程度,所以,不像是vth失配引起的。

如果是loopgain下降,也找不出下降很多的原因。

再有就是,当接有50mA负载,相对空载时输出电压下降200mV,感觉奇怪,寄生电阻查过,很小,这里是个疑问。
发表于 2020-7-6 06:47:25 | 显示全部楼层


lhlbluesky 发表于 2020-7-2 11:10
输入对管的失配,我仿得是对管的W值偏差10%,不是vth,工艺文件的vth mismatch不会大于4mv。
空载时输出电 ...


你仿真的是beta的失配,没有加VTH失配。W/L一样,也会有VTH失配。4mV最大 vth mismatch 怎么来的/
 楼主| 发表于 2020-7-6 09:43:13 | 显示全部楼层
vth mismatch是参考工艺文件的mismatch文档,里面的数据表格,vth mismatch的标准差。
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