萌新求助：一个voltage area要做power gate，如何确定power switch的密度呢？

kleinessen

40nm工艺，一个模块需要powergate掉，create_voltage_area划了大致的区域。但不知道怎么确定插入header switch的密度。问题1：不知道create_power_switch_array中 x_increment y_increment如何确定。但模块的工作电流大致知道，IR drop大致知道。需要多少power switch通过header switch的等效导通电阻按IR drop要求计算？
问题2：按公式计算一个header switch的等效导通电阻还是有库文件里有？（深三极管区等效电阻公式计算）  

萌新求助，希望各位大佬施以援手~~~

大龄文艺男青年

icc里可以根据ir drop需求 计算出psw cell个数 ，我一般都是尽量多加点，做完了跑下ir分析

kleinessen

回复 2# 大龄文艺男青年

多谢指导，能稍微具体一点是哪个指令吗，萌新谢过了~~~

大龄文艺男青年

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多谢指导，能稍微具体一点是哪个指令吗，萌新谢过了~~~
kleinessen 发表于 2017-3-1 17:09

                               
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   之前讲错，是可以根据ir要求，size psw up or down ，看下optimize_power_switch。

大龄文艺男青年

用exploree_power_switch 来算个数

kleinessen

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非常感谢~~先去研究一下~~~再次谢过~~

kleinessen

回复 5# 大龄文艺男青年

大神大神~~man了一下explore_power_switch，使用这个命令前需要先定义ps cell的power-on resistance~~这个参数无法获取啊。。。

Timme

回复  大龄文艺男青年

大神大神~~man了一下explore_power_switch，使用这个命令前需要先定义ps cell的p ...
kleinessen 发表于 2017-3-1 18:32

                               
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   退一万步讲，spice总仿的出来吧...

大龄文艺男青年

回复  大龄文艺男青年

大神大神~~man了一下explore_power_switch，使用这个命令前需要先定义ps cell的p ...
kleinessen 发表于 2017-3-1 18:32

                               
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   这个我就帮不了你了

kleinessen

回复 8# Timme

谢谢~~~