问下做underdrive device 的目的是什么？

klng1025 · 发表于 2014-8-14 15:46:05

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本帖最后由 klng1025 于 2014-8-14 15:47 编辑

一套process中有1.8V的管子，2.5V的管子，还有2.5Vunderdrive到1.8V的，问下，这种underdrive的管子目的是什么？

klng1025 · 发表于 2014-8-14 15:54:34

跟前两者区别是什么？工作在1.8V但还可以抗2.5V吧？

klng1025 · 发表于 2014-8-14 15:55:41

mask的关系？

Error · 发表于 2014-8-14 19:50:01

不产生多的mask 为了抗压和降压

klng1025 · 发表于 2014-8-15 13:33:37

回复 4# Error

能说详细点不？

fuyibin · 发表于 2014-8-15 13:55:25

一套process中有1.8V的管子，2.5V的管子，还有2.5Vunderdrive到1.8V的，问下，这种underdrive的管子目的是什 ...
klng1025 发表于 2014-8-14 15:46

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1.8V device和2.5V device都是指mosfet 耐压，这是两种完全不同的device，gate oxide, implant, 有无halo结构
为了减少mask 数量，来做cost down，同时为适应不同电压做小小的优化
25ud18是让device稍微变快一点，25od33是让device punch trhough电压更高
25ud18 和 25od33都是在2.5V device的基础上改变 length minimum value 的约束，但是从实际器件来说并没有差别
举个简单例子，tsmc40LP 工艺中，
nch25ud18  ---->  minimum length 250n
nch25  ---->  minimum length 270n
nch25od33  ---->  minimum length 450n
但是这三种器件在mask层上看没有区别，只是在layout上加了cad layer来识别这几种device