问下做underdrive device 的目的是什么？

amplifier_bias · 发表于 2018-7-12 21:51:20

高手

skeyer · 发表于 2019-11-1 13:54:42

以前还真没去想过这个问题，学些了

我诗故我在 · 发表于 2020-6-19 17:08:35

goodmark

电友 · 发表于 2021-1-12 15:44:38

学到了学到了

ic-lin · 发表于 2022-8-23 19:38:44

RFcircuits · 发表于 2023-3-7 16:17:18

fuyibin 发表于 2014-8-15 13:55
1.8V device和2.5V device都是指mosfet 耐压，这是两种完全不同的device，gate oxide, implant, 有无halo ...

这里的25ud18是指的限制了最高的VDS为1.8V，但是gate电压仍能使用2.5V的电压么？

西兰花 · 发表于 2023-10-23 21:04:44

RFcircuits 发表于 2023-3-7 16:17
这里的25ud18是指的限制了最高的VDS为1.8V，但是gate电压仍能使用2.5V的电压么？
...

请问你搞清楚这个问题了么？我也正遇到

RFcircuits · 发表于 2023-10-25 09:23:18

西兰花发表于 2023-10-23 21:04
请问你搞清楚这个问题了么？我也正遇到

这个还没有完全搞清楚，不到万不得已还是不要使得gate电压超过1.8V吧。因为在ud18的管子model里面确实也写了vgs不能超过1.8V。

Yury_Sun · 发表于 2023-11-3 09:58:50

RFcircuits 发表于 2023-10-25 09:23
这个还没有完全搞清楚，不到万不得已还是不要使得gate电压超过1.8V吧。因为在ud18的管子model里面确实也 ...

碰到了类似的问题，不知道Pud18的管子衬底能不能接3.3V

jvxiao · 发表于 2024-3-19 11:41:01

学习了

[求助] 问下做underdrive device 的目的是什么？