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查看: 2672|回复: 4

[求助] 一般情况下,有外延的工艺载流子迁移率更高吗?

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发表于 2014-4-4 15:50:18 | 显示全部楼层 |阅读模式

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如题,外延和非外延工艺比较,一般是外延的迁移率更高一些吗?如果是的话,为什么啊?谢谢!
发表于 2014-4-5 12:04:43 | 显示全部楼层
外延层可以做得掺杂浓度更低,这样对载流子散射也没那么强,相应迁移率也会增大。另外外延层一致性比较好,缺陷比衬底少,这样对迁移率也有提高。
 楼主| 发表于 2014-4-8 09:07:26 | 显示全部楼层
回复 2# crazy_fuck


   看来您对工艺很精通。我一直还有一个问题困扰,就是硅衬底上面做大电流和大功率的器件,在工艺上有哪些要求?也就是什么样的工艺(不论高低压,从广义上来说)才适合做大电流和大功率的器件?不吝赐教啊。谢谢。
发表于 2014-10-27 20:58:58 | 显示全部楼层
我想知道用Hall怎么能测到沟道的迁移率
发表于 2014-11-12 20:03:06 | 显示全部楼层
回复 2# crazy_fuck
您好,我想请教您一个问题,就是如何在剖面图中区分衬底和外延的类型?或者一般衬底和外延的类型是如何区分的  谢谢
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