在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 8735|回复: 11

NMOS 与PMOS器件的比较

[复制链接]
发表于 2016-5-12 14:18:45 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
  我第一份工作面试时候,一位工程师问我的第一个问题就是,说说NMOS和PMOS的区别,下面我就根据自己的理解来谈谈,希望能给初入工作岗位的人带来一些帮助,如果有不足的地方还请各位多多提醒和完善:

  1、首先,单从性能上讲,pmos的性能不及nmos。因为nmos的导电沟道中载流子是电子,而pmos导电是空穴,电子的迁移率是空穴迁移率的2.5倍左右,导致了电子的电流驱动能力和跨导高于空穴。这里多说一句,迁移率是单位电场内载流子的运动速度。
        2、另外,对于给定的器件尺寸和偏置电流,nmos晶体管呈现出较高的输出阻抗,为放大器提供了更加理想的电流源和更高增益。所以人们更加倾向与采用NFETs而不是PFETs。
        3、最后,我们要意识到一个问题,不是说pmos就一无是处了,在实际的CMOS工艺中,我们常常采用nwell工艺,在p-sub上形成很多相对灵活的局部衬底nwell作为pmos的衬底,所以,对于pmos来说,这种灵活性也经常被利用。
发表于 2016-5-13 10:05:46 | 显示全部楼层
PMOS的噪声性能优于NMOS。
 楼主| 发表于 2016-5-16 10:10:38 | 显示全部楼层
回复 2# zmw1986
  对的,pmos的flicker noise 小于nmos
发表于 2019-1-14 17:15:32 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2019-3-1 14:12:43 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2021-4-20 10:21:55 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2021-4-20 12:23:32 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2021-5-14 08:33:03 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2023-8-7 16:53:08 | 显示全部楼层
2、另外,对于给定的器件尺寸和偏置电流,nmos晶体管呈现出较高的输出阻抗,为放大器提供了更加理想的电流源和更高增益。所以人们更加倾向与采用NFETs而不是PFETs。


对于第二点,我是不是可以理解为,当Id相同时,nmos管的长沟道效应λn<λp。这个有具体直观的解释么
发表于 2023-10-12 20:34:06 | 显示全部楼层
学习
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

×

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-7-13 02:17 , Processed in 0.133057 second(s), 9 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表