为什么PVT仿真时，温度一般约定俗成地取-40 25 80？

hszgl

回复 67# Evanpeng


   呵呵，这个你要去看下半导体物理了。仿真只是有限范围内的拟合，各foundry基本上都是取的二阶模型。在较低温和较高温范围内都不适用。

Evanpeng

回复 68# math123

这是我用高通公司的普世process 仿的电阻值



   

你是用的什么库？温度模型有公式么

我看tsmc里面的也是正温度。

math123

回复  math123

这是我用高通公司的普世process 仿的电阻值



   

你是用的什么库？温度模型有 ...
Evanpeng 发表于 2013-5-12 01:24

                               
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特许(Charter)的0.35工艺里面的方块电阻为1k的poly电阻啊，我也仿真了一个TSMC的1k/□ poly电阻，温度特性也是负的。-1000 PPM / C



模型如下，不知道那个是1阶温度系数

section res

//  **********************************************
//                 HRI_1000 Resistor             *
//  **********************************************
subckt rnpohri_1000 ( n1 n2 )
parameters l=1u w=1u mf=1 rend0=7.0e-004 ptce1=-2.077e-003 ptce2=5.66e-006
+ pvce1=-4.0e-001 pvce2=1.0e-005 pvce3=-5.0e-000 rsh=1006 ptcp1=-1.306e-003 ptcp2=4.987e-006
+ pvcp1=-2.5e-001 pvcp2=1.157e-006 pvcp3=7.5694e-001 dl=2.1e-6 dw=0.05e-006 pt=temp
+ tface=1.0 + ptce1 * (pt - 25.0) + ptce2 * (pt - 25.0) * (pt - 25.0) tfacp=1.0
+ + ptcp1 * (pt - 25.0) + ptcp2 * (pt - 25.0) * (pt - 25.0)
//  [Rend parameters]

//  [Rpure parameters]

//  [Geometry parameters]
//

rend1 ( n1 3 ) bsource r=rend0 / mf / (w - dw) * tface * (1 + pvce1 * (tanh(pvce2
+ * abs(v(n1,3)) + pvce3) - tanh(pvce3)))
rpure ( 3 4 ) bsource r=rsh / mf * (l - dl) / (w - dw) * tfacp * (1 + pvcp1 * (tanh(pvcp2
+ * abs(v(3,4) / (l - dl)) + pvcp3) - tanh(pvcp3)))
rend2 ( 4 n2 ) bsource r=rend0 / mf / (w - dw) * tface * (1 + pvce1 * (tanh(pvce2
+ * abs(v(4,n2)) + pvce3) - tanh(pvce3)))
ends rnpohri_1000


endsection res

kwankwaner

回复 66# wpbuaa


   功耗不大的，升不了几度，可能周边影响比自热大，如果相邻周围有数字或者电源模块则可能到达你说的温度

wpbuaa

回复 74# kwankwaner


   周围有一点点的数字电路，很小一小块，那看来我用85度方针还可以，多谢了！

122013137

现在一般工艺结温度都在-40~125

touching

最低，常温，最高

122013137

一般工艺结温度都在-40~125 e

Roy-yu

不错不错，学习了