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楼主: zhangqiong137

[求助] 面试被问到:增加decap会减小IR_drop,会带来什么影响?

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发表于 2012-11-8 12:01:49 | 显示全部楼层
.13um gate leakage can be ignored since the leakage current highly depends on the thickness of gate oxide.

As for the ESD of DCAP, if a large current is injected to the dcap, the serial resistor to the gate will limit the increase of the voltage on the gate thus protect the gate oxide. But one the other side, the resistor should be small enough to keep good RC constant of DCAP. So there will be tradeoff between ESD and transient response speed.
发表于 2012-12-20 09:45:27 | 显示全部楼层
影响多了,有的他也就是瞎问问的
发表于 2012-12-20 10:29:00 | 显示全部楼层
学习了,以前只知道DCAP会增大静态功耗
发表于 2012-12-26 17:46:10 | 显示全部楼层
只知道会撑大面积
发表于 2012-12-26 23:42:09 | 显示全部楼层
那你死定了
发表于 2012-12-29 11:22:52 | 显示全部楼层
decap是什么东西啊???
初学不懂,见谅~
发表于 2014-8-18 14:53:12 | 显示全部楼层
decap 增加,会使静态漏电变大,但带来的好处是动态noise减少。一般动态noise达到要求就不会增加decap了。
发表于 2017-6-12 14:18:50 | 显示全部楼层
学习了。。。。。。
发表于 2017-6-13 08:55:11 | 显示全部楼层
哪位大神能够说明一下,为什么增加decap能减小IR Drop?
发表于 2017-6-23 11:42:38 | 显示全部楼层
学习了!
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