面试被问到：增加decap会减小IR_drop，会带来什么影响？

zhangqiong137

面试中被问到，为了降低IR_DROP，可以增加decap，但是增加的decap会带来什么影响？    当时就只知道会影响电路的时序，因为增加decap会增加负载电容。面试官问还会影响什么，我就没有回答上来。
    难道是因为decap中存在metal 1 会对SI有影响，希望大牛能赐教，不胜感激！

xjg@hmes

影响：
面积大，占用size
边泄漏功耗产生

作用：
会减小noise，稳定电压

zhangqiong137

   

影响：
面积大，占用size
边泄漏功耗产生

作用：
会减小noise，稳定电压
xjg@hmes 发表于 2012-11-7 15:57

                               
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为什么会有“边泄漏功耗产生”？

xjg@hmes

decap的工作原理了解一下，应该就清楚了。

zhangqiong137

回复 4# xjg@hmes


   我知道为什么了，谢谢了！

zfx253

   

回复  xjg@hmes


   我知道为什么了，谢谢了！
zhangqiong137 发表于 2012-11-7 17:42

                               
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    解释解释，第一次听说“边泄漏功耗”

yohuang

DCAP is built from MOS transistor and used mos gate cap, the gate leakage of dcap is a significant contributor in sub-40nm process.

In some cases, DCAP does not increase the total chip area since io may become the limiting factor of chip area.

DCAP quality also affect the ESD level of the chip, and thus the DCAP always has R (mos D-S resitor) connected to the gate terminal of MOS cap.

chenyueboy

gate 的漏电流，感觉这个应该泄露的电流非常小吧。是不是在.13工艺以上是不是可以忽略？
数字版图里会有这么多的空余面积加这个电容。

zhangqiong137

   

DCAP is built from MOS transistor and used mos gate cap, the gate leakage of dcap is a significant c ...
yohuang 发表于 2012-11-7 18:45

                               
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能不能详细解释一下decap对ESD的影响，谢谢！

liuada001

随着信号的翻转，应该也会增加switching power。
对于ESD的保护，是不是说相当于在一定程度上减少了电流的突变，从而给了ESD电路足够的泄放电流时间，从而保护了GATE.
欢迎大家一起讨论。