关于wellbody层

敏兹 · 发表于 2012-3-20 22:16:47

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我现在用的是tsmc018的工艺，我学习别人画版图，看见许多管子都用一个大的wellbody层把他们全部覆盖（DRC LVS都能过），比如一个D触发器，就用了一个大的矩形把pmos和nmos都包完，但是我调一个管子的pcell来画时，只有管子的有效栅区才覆盖了wellbody层，那么像别人那样用一个大的wellbody层来覆盖所有的管子（当然也就覆盖了有源区）有没有什么流片的隐患啊？有人遇见过这种情况么? 而wellbody层的作用说的是用来定义栅区的