mim与mos有什么区别,分别在什么情况下使用?

lixiaojun707 · 发表于 2011-11-27 10:37:14

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如题,谢谢!0

lixiaojun707 · 发表于 2011-11-27 10:39:57

回复 1# lixiaojun707

是指mim和mos电容

lixiaojun707 · 发表于 2011-11-27 12:37:26

回复 1# lixiaojun707

是指mim和mos电容

icfbicfb · 发表于 2011-11-27 12:48:54

mim 是2层metal之间的电容，一般是top和top-1 层metal之间的，

比较精确，一般要ultra thick metal 这种工艺来制作

mos电容不是特别精确，不准

iamshan · 发表于 2011-11-27 17:09:10

本帖最后由 iamshan 于 2011-11-27 17:12 编辑

MOS电容受限制比较大，因为是MOS结构，DC偏压直接影响电容的大小，而且电容的充放电也比较慢，尤其是在反型的时候，同时poly deplection也会影响MOS电容值。
MIM电容两端是METAL,充放电速度应该更快，没有其他半导体效应的影响。
FYI
至于应用在什么地方，不是做设计的，不大清楚。但是RF产品工艺中一般都是有MIM结构。

icfbicfb · 发表于 2011-11-27 23:38:57

MIM CAP用在对cap值要求比较精确的场合，比如 adc的采样电容，
一般是 0.7~1.5 ff /um2 ,

RF 里面用的多，因为用了ultra thick metal（即top thick metal），有利于mim的形成

weixiaoHUST · 发表于 2011-11-28 16:06:24

mim : metal insulator metal, 工作原理类似于平板电容,电容值较精确,可以用面积x单位面积电容来估算电容值.电容值一般不会随偏压变化.电容值较大时,占面积很大.一般在靠近顶层金属的地方实现。
mos电容 : metal oxide semiconducter, 工作原理参考半导体类书籍中的二端口mos结构，电容值不精确，且可以实现随控制电压变化而变化的电容值。版图面积大大小于mim。在硅片表面实现，需要用到active区。

icfbicfb · 发表于 2011-11-28 18:08:15

还有一种MOM 电容， metal oxide metal，用到侧面metal oxide直接形成的

和侧向平板电容类似，

lixiaojun707 · 发表于 2011-11-28 19:44:47

回复 8# icfbicfb

mim和 mom电容的区别又是什么，应用范围呢？

icfbicfb · 发表于 2011-11-29 09:12:29

mom 电容见tsmc design rule，有讲

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