关于MOS管的问题

独特之最

有个问题一直困惑，书上讲当VGS>=VT,且VDS>=VGS-VT时，MOS管进入饱和区，饱和区的电流不再随着VDS的增加而增加。这个时候导通的电阻可以用VDS / I 来计算，应该不小，但是一般MOS的手册上都是写着饱和时候的导通电阻是几个毫欧，不是矛盾吗？ 求赐教。另外在饱和区时Vds的值如何确定？

Nosian

楼主说的那种手册上的MOS管是功率器件吧？分立器件那种，三个金属脚的。IC里面的MOS管是有源器件，两个不一样吧？
IC里面，Vds一般几百mV，Id一般几个uA到几百uA，再怎么也是千欧级别的呀。Vds一般取个200mV比较合适，主要还是看摆幅、增益、MOS管工作区的需求。

pl8812

“导通的电阻可以用VDS / I 来计算”何以得出“应该不小”这个结论？
Rds与W/L有关，理论上可以做的无限小,看不出有矛盾的地方

icuser_zhul

mos管的输入和输出特性曲线均与三极管的输入曲线和输出曲线相似，在三级管的输入曲线中我们可以分别求出交流电阻和直流电阻，切线为交流电阻，v/i为直流电阻，求出的交流电阻的值比直流电阻大很多。