mim与mos有什么区别,分别在什么情况下使用?

firewolf223 · 发表于 2012-2-7 23:18:45

mim电容比较精确，充放电快，但是方容值不高面积比较大
mos电容方容值高可以节省面积，但是有一个最大的缺点，mos电容本质还是一个mos管要收到vt的影响，如果电容要求从0v开始工作，就要解决这个mos开启的问题了

peterlin2010 · 发表于 2012-2-9 11:36:08

非絕對 ..
MIM 須多一層把IMD 弄薄些才能增家 metal 間電容 , 目前有process 看到 mim 會是 mos cap 的1/3 ..
而一般 mim or pip 都只 tt/ss/ff ..反看 mos 是 5 corner model ..

mos cap 最大問提是電容和電壓 .. Vgs < vt 下電容很小,
同樣電容下  mim = 3 mos_cap
sim 出來看是 mos cap 比較小但  會用 pip  or mim 主要是電壓 .
不論 pip/mim or mos cap 都有 frig cap

如你電壓很低  ~500mv or 用來做 sample/hold ..一般都用 mim or pip

不過 mim  or pip 都因IMD 弄薄很多是 lv ..要高壓到 40v 得給用 high volt mos ..
但 oxide 很厚下CAP 很小 ..