求教cmos工艺中外延层的厚度应该是多少

baiyawen · 发表于 2011-11-3 14:43:33

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求教cmos工艺中外延层的厚度应该是多少

iamshan · 发表于 2011-11-11 13:31:19

求教cmos工艺中外延层的厚度应该是多少
baiyawen 发表于 2011-11-3 14:43

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什么叫外延层，不懂这个中文名词的意思　英文叫啥？

xiqiao · 发表于 2011-11-11 16:09:30

应该是epi

baiyawen · 发表于 2011-11-11 17:14:32

回复 2# iamshan

epitaxy

iamshan · 发表于 2011-11-11 18:18:20

这个取决于是什么样的process,好比low voltage的process EPI 只有4UM,但是有些HV process会有12um,不同的工艺用不同厚度的EPI,具体有多少种就不清楚了

yj656 · 发表于 2011-11-12 11:26:44

应该越厚越好吧

lodestar6666 · 发表于 2011-11-12 12:17:03

5#正解，外延层厚度主要由耐压决定

baiyawen · 发表于 2011-11-12 16:28:51

回复 5# iamshan

唉悲催了上次去面试的时候人问我说外延层的厚度是多少我隐约记得是100A到1000A左右，然后我说是100nm，结果人骂了我一顿，说那么薄的厚度一刻蚀全没了，还做个毛掩蔽层啊，然后我就回来看文档，有的上面写的是上面那个范围，有的写的是最大到1um，我还真是没有碰见你说的那么大的厚度，请问是哪儿的资料啊，或者还是工程实际就是这样的，万分感谢

iamshan · 发表于 2011-11-12 17:05:05

回复 iamshan

唉悲催了上次去面试的时候人问我说外延层的厚度是多少我隐约记得是100A到1000A左 ...
baiyawen 发表于 2011-11-12 16:28

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来自于实际数据

baiyawen · 发表于 2011-11-12 17:07:34

回复 9# iamshan

好的万分感谢

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