关于ESD GGNMOS溃通问题

zhifj86 · 发表于 2010-11-8 21:47:50

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请教高人，怎样保证图中的GGNMOS会比NMOS管提前溃通，进行泄电？谢谢！

mtwumtwu · 发表于 2010-11-9 07:58:08

becare of HV stress cause latch-up issue in this system.

skycloud · 发表于 2010-11-9 13:19:38

此处的ggnmos作为第二级esd保护用，用来保护内部pnmos的gate oxide。为何需要ggnmos要比nmos提早溃通？减小channel length可以获得低的punch through电压，但是esd 的性能比较特殊，建议以foundry提供的esd rule作参考。

zhifj86 · 发表于 2010-11-9 13:38:05

回复 3# skycloud
这个GGNOMS是用来保护NMOS的吧？如果让GGNMOS先溃通，是GGNMOS的L小于NMOS的L吗？

skycloud · 发表于 2010-11-9 16:00:46

本帖最后由 skycloud 于 2010-11-9 16:07 编辑

如之前的回复，这里的ggnmos是用来保护input nmos和pmos的栅氧化层的，只要ggnmos的击穿电压（考虑esd电流）低于栅氧的击穿电压就可。如果没有esd data作支持，不建议自己修改esd device的rule。在input 处，ggnmos的L小于nmos的没有直接的意义。如果是output处，则ggnmos是用来保护输出nmos的，ggnmos的L比nmos的小些是合理的。