关于ESD GGNMOS溃通问题

myings · 发表于 2010-11-15 22:43:00

这个最好结合device的数据来比较才行做foundry的人不一定意识到这一点的

tiancai2008 · 发表于 2010-12-18 15:47:13

这个很简单啊，foundry会提供ESD implant这一层，在GGNMOS放入drain端打一层ESD implant，这会使GGNMOS的breakdown 电压低于gate oxide的breakdown电压啊。

fj198462 · 发表于 2010-12-29 00:01:38

这个很简单啊，foundry会提供ESD implant这一层，在GGNMOS放入drain端打一层ESD implant，这会使GGNMOS的br ...
tiancai2008 发表于 2010-12-18 15:47

登录/注册后可看大图

在这个GGNMOS加了ESD IMPLANT为什么会使其耐压低于后面的N ,PMOS的？请详解。

yaoyaobluefox · 发表于 2011-8-2 18:04:13

我也了解了

lanlan860207 · 发表于 2011-8-17 14:45:32

认真努力学习谢谢

smartswq · 发表于 2021-8-2 16:32:11

tiancai2008 发表于 2010-12-18 15:47
这个很简单啊，foundry会提供ESD implant这一层，在GGNMOS放入drain端打一层ESD implant，这会使GGNMOS的br ...

公司要考虑成本的，多一层就多一部分成本，老板想的是怎么减少mask，而不是增加。

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