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[求助] 请教带隙基准工艺角仿真的问题

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发表于 2010-7-27 09:22:00 | 显示全部楼层 |阅读模式

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采用运放反馈结构的基准
在tt下,调整好管子的参数,基准电压在1.24v左右,
但是到ss或ff下,基准电压会上下偏出20mv之多,

采用运放反馈折叠电阻结构的基准
在tt下,调整好管子的参数,基准电压在0.24v左右,
但是到ss或ff下,基准电压会上下偏出6mv之多,

请问大家,有什么办法减少工艺角仿真带来的基准电压偏差呢
是在电路参数上下手,还是引入新的结构?

谢谢了
发表于 2010-7-27 13:12:31 | 显示全部楼层
调得好的话,在mos的corner下边是不大会受影响的,看看工作点设置是不是正确。
发表于 2010-7-28 10:44:03 | 显示全部楼层
1# chaowei
电阻=用的是理想值还是实际model? spice model里三极管有几种corner?
如果是实际model,也考虑了三极管的corner, pvt仿真的结构variation有这么多是正常的。调到多少得看你的技术功底和工艺corner之间的差别了。
如果电阻是理想值,三极管只有一个corner, 那就要看工作点了
发表于 2010-7-28 12:45:12 | 显示全部楼层


1# chaowei  
电阻=用的是理想值还是实际model? spice model里三极管有几种corner?
如果是实际model,也考虑了三极管的corner, pvt仿真的结构variation有这么多是正常的。调到多少得看你的技术功底和工艺corner之 ...
jianjing526 发表于 2010-7-28 10:44


正解!
 楼主| 发表于 2010-7-29 13:50:06 | 显示全部楼层
3# jianjing526

谢谢这么多热心的兄弟阿

用的实际的电阻

基准源一般最好能调到多少呢?
我做了trim,工艺角偏差上下10mv左右
能调到多少呢?

谢谢
发表于 2010-8-13 22:05:31 | 显示全部楼层
xiexie
发表于 2010-8-13 22:35:59 | 显示全部楼层
一般只有bjt和resistor的corner才会有明显影响,MOS管不大可能有影响的,你的偏置有问题,或者环路增益太低
发表于 2010-8-13 22:39:48 | 显示全部楼层
说白点,bjt的corner影响的是VBE的绝对值,这个没什么办法;res的corner影响的是电流,这个电流对正温度系数部分没影响,但是不同电流得到的VBE不同,这个可以通过加大电流让VBE的I-V特性曲线取在拐点之后斜率相对稳定的一段能稍微改善一些。
发表于 2010-8-15 09:02:37 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2010-8-19 19:43:35 | 显示全部楼层
thanks !
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