请教带隙基准工艺角仿真的问题

wocaishidac · 发表于 2011-11-25 11:57:01

BJT corner影响很大，我最近做的一个bgr在全pvt corner下（包括bjt corner）最大和最小值之间能差到30mV

huangfei888 · 发表于 2011-11-25 13:47:30

学习了。。。。

草木风 · 发表于 2011-12-27 16:01:51

有运放的带隙工艺偏差应该会小点的。。

lllyyy625 · 发表于 2012-3-21 19:55:24

我做出来的基准浮动30mv 啊心里好郁闷啊

坚强 · 发表于 2012-3-21 23:37:44

回复 24# lllyyy625

请问在做电路的过程中应做如何考虑以降低各Corner间性能参数的变化？

peterlin2010 · 发表于 2012-3-22 09:36:12

bjt model level=1 only ss/tt/ff ..

but mos have 5 corner model ..

yw88104 · 发表于 2012-5-23 12:12:42

只跑MOS工艺角，影响不大，这里只有OTA输入失调以及电流镜的影响，一般很小；跑MOS和R工艺角，影响也不大，因为此时只是电流的微笑变换，电阻比值以及带隙电压变化很小；跑全工艺角，由于带隙电压的变化，会造成比较大的初始电压值的变化，温度曲线也会有比较大的差异

xyyyhtld0 · 发表于 2012-6-4 17:07:24

学习了！

denkyvip · 发表于 2012-10-23 17:48:19

想请教一下，如果放ss和ff与tt相对比，Vref的温度系数相差很大，Vref的浮动很大，有什么办法可以解决这个问题，是从电路架构考虑还是从其他方面考虑

xhl12345 · 发表于 2015-5-20 09:29:02

我做的带隙基准800mv、如果只是改mos的 tt 到 ss,Vref变化不大，但是接着更改为bjt_ss、res_ss时，Vref相差9mv之多,这正常吗

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