请教5v/40v高压工艺问题

icucu · 发表于 2010-3-16 22:52:10

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请问5v/40v cmos高压工艺中如果高压器件和低压器件衬底电位相同，是否能做在同一个well中呢？比如一个低压的pmos管和一个高压的pmos管衬底电位都是VDD

ddrr · 发表于 2010-3-16 23:00:31

5v的p管nwell接5
40v的p管nwell接40

这个不要乱搞

icucu · 发表于 2010-3-16 23:06:33

5v的p管nwell接5
40v的p管nwell接40

这个不要乱搞
ddrr 发表于 2010-3-16 23:00

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cscode结构，5v 40v的管子well都是40v

mcumcumcu · 发表于 2010-3-17 03:34:52

我见过的工艺例40V高压PMOS，他的NW是和Drain 是butting在一起的，不能选择电位。工艺不同，可能不一样。

mcumcumcu · 发表于 2010-3-17 03:36:00

我见过的工艺例40V高压PMOS，他的NW是和Drain 是butting在一起的，不能选择电位。工艺不同，可能不一样。
mcumcumcu 发表于 2010-3-17 03:34

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说错了，是和source应该。

jiangtaojack · 发表于 2010-3-17 17:01:10

说错了，是和source应该。
mcumcumcu 发表于 2010-3-17 03:36

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不错，工艺不一样，接法也不一样

icucu · 发表于 2010-3-17 18:44:06

不错，工艺不一样，接法也不一样
jiangtaojack 发表于 2010-3-17 17:01

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那请问哪家的5v/40v cmos工艺高低压mos器件可以做在同一个well里面呢？或者说是不是所有的5v/40v cmos工艺高低压mos器件的well必须分开，即使well电位相同，而且还要拉开一定距离？那这样的话就会很浪费面积了。

suqiang0303 · 发表于 2010-3-17 23:14:14

一般来说是即使高低压器件的衬底电位相同，也是不太可能共阱的，因为5V器件是普通器件，而40V器件是DMOS或HV MOS。 DMOS或HVMOS为了适用于在high side的应用，往往是要制作在HV-Nwell、及HV-Pwell中的。也就是说40V器件比5V器件多使用几张mask，二者从结构上一般不可能做在同一个阱上。

lodestar6666 · 发表于 2010-3-18 06:44:45

应该不可以，因为高压和低压器件阱的掺杂、结深等参数不一样，低压器件做在高压阱里性能不好

wfish · 发表于 2010-3-18 10:37:59

不可以,高压器件做在HV-Nwell、HV-Pwell中

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