经常做power的人，大家来讨论下基准吧

jeff_zx

除了trim如何提高精度和解决离散性？
大家现在常用哪种？
pad还是镭射？

jeff_zx

1# jeff_zx
我先丢几块砖头吧
用过的大都是cmos工艺，除了TSMC BCD其他的离散性都很大。
有一个产品使用了chopper和dem，结果还是不错，但这个产品的ref是可以外接电容的。
如果没有外节电容，只靠片内的低通铝箔，好像chopper的优势就无法体现了，尤其在LDO里，有人尝试过片内连续时间滤波器吗？
或者有更好的design？

jeff_zx

大家积极发言啊！

mickey1999

谁有TSMC BCD PDK文件。谢谢

mickey1999

如果不便放在网上，可以发给我

guang3000

1# jeff_zx  
我先丢几块砖头吧
用过的大都是cmos工艺，除了TSMC BCD其他的离散性都很大。
有一个产品使用了chopper和dem，结果还是不错，但这个产品的ref是可以外接电容的。
如果没有外节电容，只靠片内的低通 ...
jeff_zx 发表于 2009-12-17 12:19

                               
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     我想基本无解，如果基准一旦用到mos管的match (运放，电流镜), 就会有随机误差，包括尺寸上的误差和阈值电压的误差，这个是避免不了的。我见过LED驱动芯片上面用chopper，而没有外接电容的，但这种芯片对噪声没什么要求

     想请教下，外接电容来消除chopper产生的噪声 ，能比得上不用chopper而内置滤波电容产生的噪声那么小吗？

jeff_zx

6# guang3000

noise肯定是chopper加外接低通滤波的小，主要是1/f noise，这个我想你片内的简单低通是很难滤掉的，而且片内低通电阻很大会有额外的themal noise，chopper轻松把noise搬到KHz级，片外电容，做一个Hz级的滤波器也很简单

jeff_zx

2# jeff_zx

拓展一下
大家可以谈谈各自产品里trim的做法和经验吗？

jeff_zx

1# jeff_zx
还有，既然都要trim，有人试过用全MOS来做基准吗？！
我是指mass production

guang3000

6# guang3000  

noise肯定是chopper加外接低通滤波的小，主要是1/f noise，这个我想你片内的简单低通是很难滤掉的，而且片内低通电阻很大会有额外的themal noise，chopper轻松把noise搬到KHz级，片外电容，做一个 ...
jeff_zx 发表于 2009-12-17 15:20

                               
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我想你的意思是在MOS晶体管输入端的1/f噪声就像一个低频的失调电压一样，可以用chopper移到高频去是吧。